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分立半导体
晶体管
绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块

什么是绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块:

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块，IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。

最大集电极电流 (Ic):
22A
1800 A
80 A
620 A
84 A
42 A
225 A
16 A
240 A
19A
165 A
123 A
100 A
39 A
35A
195 A
440 A
130 A
72 A
2400 A
95 A
30 A
27 A
300 A
510 A
23 A
65 A
153 A
69 A
12A
185 A
64 A
2000 A
128 A
283 A
1400 A
11 A
600 A
166 A
105 A
38 A
90 A
150 A
75 A
52 A
1600 A
139 A
460 A
112 A
87 A
45 A
68 A
116 A
27.5 A
140 A
200 A
370 A
86 A
430 A
950 A
280 A
520 A
148 A
15A
37 A
125 A
70 A
97 A
151 A
400 A
675 A
117 A
25 A
1200 A
480 A
1.2 kA
29 A
3460 A
20A
85 A
700 A
450 A
160 A
220 A
580 A
310 A
500 A
55 A
145 A
375 A
78 A
1500 A
149 A
900 A
50 A
420 A
31 A
825 A
110 A
18A
更多
集电极击穿电压:
950伏
600 V
1200伏
300伏
1700伏
1600伏
1400伏
3300伏
1.2伏
5900 V
700 V
6500 V
2500伏
250伏
650 V
900 V
750 V
1250伏
1000伏
620 V
4500伏
更多
最大功率:
100瓦
940瓦
50 W
180瓦
595 W
140瓦
77 W
12500 W
1100瓦
205瓦
1650 W
2500瓦
1250瓦
480瓦
210瓦
290瓦
1450 W
870 W
94瓦
335 W
61 W
312 W
250瓦
6250 W
410 W
2400 W
20毫瓦
2000瓦
360瓦
658 W
1000000 W
170瓦
197 W
130瓦
385 W
4800 W
68 W
600 W
280瓦
115瓦
10500瓦
1600 W
208瓦
430 W
283 W
350瓦
570 W
340 W
45瓦
225瓦
104瓦
4150 W
1500瓦
75 W
536 W
1800瓦
329 W
446 W
695 W
3350 W
460瓦
416 W
379 W
105瓦
17000 W
543 W
520 W
1000瓦
2250瓦
454.5 W
71.5 W
431 W
284 W
780 W
70 W
300瓦
176 W
150瓦
2300 W
462 W
142.8 W
3900 W
625 W
175瓦
417 W
89 W
1950 W
145 W
4.2 mW
5100 W
81 W
40瓦
2100 W
765000 W
500 W
85 W
700 W
682 W
4050 W
640 W
更多
制造厂商:
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
威世二极管 (Vishay General)
英飞凌 (Infineon)
微芯 (Microchip)
宝英电源 (Powerex)
基因半导体公司 (GeneSiC)
力特 (Littelfuse)
赛米奇公司 (SemiQ)
艾赛斯.力特 (IXYS)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
更多
供应商设备包装:
26-DIP
56-PIM/Q2PACK (93x47)
AG-ECONO2C
SOT-227
AG-ECONO2B
EZIRPACK 1
Dual INT-A-PAK
POWIR ECO 2
AG-PRIME3+-5
E10
AG-XHP3K33
AG-ECONOD-4
AG-ECONOD-5
AG-ECONOD-6
AG-XHP100-6
AG-ECONO3B
A-IHV190-6
同位素
Module
S3
AG-XHP3K65
AG-HYBDC6I-1
SP6-P
AG-PRIME2
AG-XHP100-3
EPM7
AG-ECONO2-6
AG-ECONO2-8
AG-EASY1B-2
Y4-M5
鲍威尔62
AG-IHVB130-3
EMIPAK-2B
PG-MDIP-28
D1
INT-A-Pak
D3
D4
7PM-IA
SP2
SP1
SP4
SP3
SP6
25PM-AA
AG-EASY2B-3
AG-EASY2B-2
MTP
E1
10-MTP
ACEPACK1.
E2
27-DIP
E3
AG-IHVB190-3
Y3-DCB
22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
SOT-227B
7PM-HA
AG-EASY2B
AG-PRIME3-1
MiniPack2
AG-IHMB190-2
20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
F1
ACEPACK2.
F2
V1A-PAK
12-MTP
SP3F
7PM-GA
鲍威尔34
ECO-PAC1
ECO-PAC2
IMS-2
AG-EASY3B
AG-ECONOD
WB
AG-EASY2BM-2
AG-ECONOPP-2-1
AG-62MM-1
AG-62毫米
22-PIM (55x32.5)
AG-ECONO3
AG-ECONOD-3
AG-ECONO2
ECONO3 4PACK
AG-ECONOPP
23-SOP
AG-HYBRIDD-2
A-IHV130-6
AG-HYBRIDD-1
AG-IHVB190
A-IHV130-3
12-MTP Pressfit
AG-IHMB130-2
SOT-227（同位素）
AG-IHMB190
ISOTOP
AG-EASY1B
更多
IGBT型:
场截止
NPT, Trench Field Stop
NPT and Fieldstop
沟槽
NPT
PT
PT, Trench
场终止沟道
更多
参数配置:
三路、双路-公共电源
三电平逆变器-IGBT、FET
降压斩波电路
三相逆变器
升压斩波器，全桥
三相
双制动斩波器
带制动器的三相逆变器
单个的
升压斩波电路
半桥
不对称电桥
三电平逆变器
双重、公共源
半桥逆变器
单斩波器
T型
全桥
双降压斩波器
单个开关
双升压斩波器
全桥逆变器
3独立
2独立
更多

当前"绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块"共 2699 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
APT100GF60JU2 微芯 (Microchip)	IGBT型: NPT 参数配置: 单个的集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227	¥1,315.65091	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,315.65091	添加到BOM 立即询价
BYM600A170DN2HOSA1 英飞凌 (Infineon)	参数配置: 单个的最大功率: 1400 W 供应商设备包装: Module	¥2,013.23648	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥20,132.36484	添加到BOM 立即询价
APTGT400SK60D3G	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 单个的集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦供应商设备包装: D3	¥2,912.14604	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,912.14604	添加到BOM 立即询价
APTGT30H170T3G 微芯 (Microchip)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 全桥逆变器集电极击穿电压: 1700伏最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 210瓦供应商设备包装: SP3	¥751.62869	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥8,267.91557	添加到BOM 立即询价
FP15R12W1T4PB11BPSA1 英飞凌 (Infineon)	1200 V, 15 A PIM IGBT MODULE	¥193.09571	22	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,317.14857	添加到BOM 立即询价
APT100GF60JU3 微芯 (Microchip)	IGBT型: NPT 参数配置: 单个的集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227	¥5,712.24780	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥5,712.24780	添加到BOM 立即询价
FS150R17N3E4B11BOSA1 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 三相逆变器集电极击穿电压: 1700伏最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 835 W 供应商设备包装: Module	¥2,019.17566	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥20,191.75662	添加到BOM 立即询价
APTGT450DU60G	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 双重、公共源集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 1750瓦供应商设备包装: SP6	¥5,135.57583	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥5,135.57583	添加到BOM 立即询价
DDB6U180N16RRPB11BPSA1 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 单斩波器集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 515 W 供应商设备包装: AG-ECONO2B	¥1,236.94246	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥12,369.42462	添加到BOM 立即询价
FS50R12KT3BPSA1 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 全桥逆变器集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 280瓦供应商设备包装: AG-ECONO2B	¥753.84103	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥11,307.61548	添加到BOM 立即询价
FF150R12YT3BOMA1 英飞凌 (Infineon)	LOW POWER EASY	¥286.60155	20	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,292.81242	添加到BOM 立即询价
APT30GF60JU2 微芯 (Microchip)	IGBT型: NPT 参数配置: 单个的集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 192瓦供应商设备包装: SOT-227	¥3,398.41633	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥3,398.41633	添加到BOM 立即询价
APTGT600U120D4G 微芯 (Microchip)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 单个的集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 2500瓦供应商设备包装: D4	¥2,020.40696	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,020.40696	添加到BOM 立即询价
APTGT50A120D1G	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 半桥集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 270瓦供应商设备包装: D1	¥3,373.04750	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥3,373.04750	添加到BOM 立即询价
APTGLQ100A120T3AG 微芯 (Microchip)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 半桥集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 185 A 最大功率: 650 W 供应商设备包装: SP3	¥755.15794	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥8,306.73730	添加到BOM 立即询价
FS25R12KE3GBOSA1 英飞凌 (Infineon)	FS25R12 - IGBT MODULE	¥373.37150	14	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,240.22897	添加到BOM 立即询价
APT30GF60JU3 微芯 (Microchip)	IGBT型: NPT 参数配置: 单个的集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 192瓦供应商设备包装: 同位素	¥1,460.22731	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,460.22731	添加到BOM 立即询价
APTGT300TL60G 微芯 (Microchip)	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 三电平逆变器集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 935 W 供应商设备包装: SP6	¥2,033.22689	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥8,132.90755	添加到BOM 立即询价
APTGT50A120TG	IGBT型: 场终止沟道参数配置: 半桥集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP4	¥855.66941	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥855.66941	添加到BOM 立即询价
FS50R06KE3BOSA1 英飞凌 (Infineon)	FS50R06 - IGBT MODULE	¥376.26866	16	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,257.61193	添加到BOM 立即询价

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