绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 335 W 供应商设备包装: Module | ¥1,248.96568 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,489.65676 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥1,019.98501 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,019.98501 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 660 A 最大功率: 4800 W 供应商设备包装: Module | ¥16,919.55926 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,839.11852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 310瓦 供应商设备包装: D1 | ¥1,571.54610 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,571.54610 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,038.84014 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,155.36054 | 添加到BOM 立即询价 | ||
FS35R12 - IGBT MODULE | ¥405.96527 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,435.79161 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,250.66262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,754.63831 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP1 | ¥7,050.46888 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,050.46888 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 660 A 最大功率: 4800 W 供应商设备包装: Module | ¥11,279.29574 | 46 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,279.29574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 2700瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,042.49780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,424.97800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 390瓦 供应商设备包装: E3 | ¥764.50258 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,822.51291 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 供应商设备包装: Module | ¥1,266.92807 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,135.42454 | 添加到BOM 立即询价 | ||
FS35R12 - IGBT MODULE | ¥442.25147 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,211.25737 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 270瓦 供应商设备包装: D1 | ¥1,538.36057 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,538.36057 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 840 A 最大功率: 3000瓦 供应商设备包装: D3 | ¥2,050.73660 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,202.94640 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 供应商设备包装: Module | ¥1,266.92807 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,135.42454 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1035瓦 供应商设备包装: Module | ¥768.63466 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,074.53862 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BSM10GP60 - IGBT MODULE 600V 20A | ¥442.90334 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,214.51668 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 310瓦 供应商设备包装: D1 | ¥1,977.21030 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,977.21030 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 6500 V 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 4800 W 供应商设备包装: Module | ¥17,151.76663 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34,303.53326 | 添加到BOM 立即询价 |