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分立半导体
晶体管
单绝缘栅双极晶体管（IGBT）

什么是单绝缘栅双极晶体管（IGBT）:

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是具有三个端子的多层半导体器件，可以处理高电流并具有快速开关功能。它们的特征包括类型、集电极-发射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

最大集电极电流 (Ic):
22A
10A
80 A
61 A
180 A
42 A
84 A
16 A
26.9 A
108 A
5 A
240 A
54 A
77 A
9.4 A
100 A
58 A
35A
104 A
72 A
130 A
53 A
95 A
30 A
37.7 A
23 A
65 A
48A
36A
24A
115 A
12A
60 A
64 A
41 A
8.5 A
34 A
11 A
120 A
8 A
76 A
5.3 A
38 A
90 A
94 A
75 A
52 A
45 A
3.2 A
26A
135 A
49 A
116 A
140 A
200 A
40 A
63 A
208 A
280 A
14 A
7 A
144 A
9.6 A
79 A
15A
93 A
70 A
51 A
74 A
234 A
17.5A
44 A
28A
67 A
20A
85 A
160 A
220 A
17 A
15.5 A
6.3 A
13 A
32 A
6 A
55 A
145 A
78 A
59 A
5.5 A
92 A
21A
11.4 A
50 A
190 A
31 A
43 A
66 A
110 A
47 A
46A
更多
工作温度:
-40摄氏度~175摄氏度（TJ）
-55摄氏度~125摄氏度（TJ）
-40摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~175摄氏度（TJ）
-40摄氏度~75摄氏度（TJ）
175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TJ）
更多
集电极击穿电压:
345伏
400伏
1200伏
1800伏
365伏
420伏
430伏
1600伏
1400伏
440伏
650 V
900 V
1000伏
1250伏
360伏
4500伏
380伏
442 V
390伏
445 V
1500伏
4000伏
950伏
425伏
435伏
600 V
3600伏
300伏
1700伏
1100伏
320伏
330伏
1300伏
500 V
395 V
415伏
375 V
700 V
270伏
2500伏
250伏
1350 V
3000伏
450伏
460伏
480伏
更多
最大功率:
100瓦
58 W
41瓦
595 W
140瓦
1.25瓦
77 W
298 W
227.2 W
108瓦
463 W
38瓦
480瓦
210瓦
290瓦
125瓦
30瓦
400瓦
250瓦
206 W
178 W
219 W
174 W
197 W
320瓦
99 W
556 W
130瓦
483 W
234 W
238 W
272 W
124 W
147 W
200瓦
115瓦
892 W
60 W
521 W
268 W
139瓦
260 W
208瓦
350瓦
56 W
144瓦
156瓦
45瓦
390瓦
104瓦
781 W
33瓦
348 W
75 W
160瓦
555 W
277 W
469 W
231 W
167 W
319.2 W
270瓦
337 W
520 W
29 W
246 W
166.7 W
227 W
454 W
110瓦
35瓦
138 W
70 W
190瓦
300瓦
176 W
267瓦
150瓦
55 W
278 W
106瓦
420 W
625 W
833 W
89 W
325瓦
2 W
28 W
357 W
187 W
92瓦
164 W
500 W
85 W
66 W
141 W
33.3 W
216瓦
201 W
455 W
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
上海陆芯 (luxin-semi)
罗姆 (Rohm)
达尔科技 (Diodes rporated)
东芝 (Toshiba)
艾赛斯.力特 (IXYS)
无锡新洁能 (NCE)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
萨科微 (Slkor)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
微芯 (Microchip)
基因半导体公司 (GeneSiC)
瑞萨电子 (Renesas)
力特 (Littelfuse)
三垦电气株式会社 (Sanken)
赛米奇公司 (SemiQ)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
美国微芯 (MICROCHIP)
微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
HPM F2
PG-TO220-3-31
TO-218 Isolated
PG-TO247AD
ISOPLUS i4 PAC
超级247（至274AA）
TO-247N
DPAK (TO-263)
TO-268HV
TO-247
TO-220AB Full-Pak
8-TSSOP
24-SMPD
TO-264AA
PG-TO247-3-32
LPDS
TO-252
7-SIP
I2PAK (TO-262)
等值线247
TO-252（DPak）
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
TO-263（D2Pak）
PG-HSIP247-3-2
TO-252AA
DPAK-6
TO-268AA
最大247
TO-220-3
TO-264 (L)
TO-247-4
TO-220
TO-247-3
超220（至273AA）
TO-264 (IXYK)
Die
PG-TO247-3-AI
PG-TO263-3-901
TO-263AB
TO-263AA
TO-247-4L
PG-TO252-3
TO-220FL
PG-TO274-3-903
TO-263HV
TO-220FP
PG-TO220 Full Pack
D3PAK
8-ECH
TO-247 (IXTH)
TO220 Full Pack
TO-220F
TO-247 (IXXH)
TO-247 Long Leads
PG-TO247-4-3
T-MAX[B2]
PG-TO247-4-2
PG-TO220-3
至263AB（DPAK）
DPAK
SOT-227B
D2PAK (TO-263)
D2PAK
PG-TO247-3
TO-220F-3
PG-TO247-4
D-Pak
TO-220NFM
PG-TO220-3-111
TO-220AB
TO-247 [B]
TO-268HV (IXYT)
PG-TO251-3
SUPER-247 (TO-274AA)
TO-252-3 (DPAK)
TO-247PLUS-HV
PG-TO247-3-46
TO-3P
PG-TO247-3-41
TO-220AC
TO-3PF
TO-247AD
PG-TO247-3-1
TO-247AC
TO-264-3
TO-263
ISOPLUSi5 Pak
TO-262
TO-3PN
8-SOIC
TO-268
I-PAK
TO-264 (IXGK)
TO-247 (IXYH)
TO-3PFM
PLUS247-3.
TO-264 [L]
TO-252，（D-Pak）
TO-218-5
更多
IGBT型:
场截止
NPT, Trench Field Stop
沟槽
NPT
PT
场终止沟道
NPT and Trench
更多

类别

二极管	整流器	齐纳	晶闸管	晶体管
双极 (BJT)	FET、MOSFET	IGBT

当前"单绝缘栅双极晶体管（IGBT）"共 4525 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
IRG4RC10KDTRPBF 英飞凌 (Infineon)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 9 A 最大功率: 38瓦供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.29746	400	2-3 工作日	- + 合计: ¥1,409.12356	立即购买加入购物车
IXBH42N170A 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 1700伏最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥208.08852	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥208.08852	添加到BOM 立即询价
FGD3040G2-F085C 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 400伏最大集电极电流 (Ic): 41 A 最大功率: 150瓦供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥10.99288	384	2-3 工作日	- + 合计: ¥10.99288	立即购买加入购物车
IXYK140N120A4 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: PT 集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 480 A 最大功率: 1500瓦供应商设备包装: TO-264 (IXYK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥292.90288	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥292.90288	添加到BOM 立即询价
IRGB4610DPBF	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 77 W 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥6.88076	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥1,816.51932	添加到BOM 立即询价
IXYX140N120A4 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: PT 集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 480 A 最大功率: 1500瓦供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥292.90288	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥292.90288	添加到BOM 立即询价
MGW12N120 安盛美 (onsemi)	IGBT, 20A, 1200V, N-CHANNEL	¥7.17047	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥265.30743	添加到BOM 立即询价
IXYX40N250CHV 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 2500伏最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 1500瓦供应商设备包装: TO-247PLUS-HV 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥369.46033	570	5-7 工作日	- + 合计: ¥369.46033	添加到BOM 立即询价
STGB20V60F 意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.52900	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥7,528.99500	添加到BOM 立即询价
IXBX75N170 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 1700伏最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 1040瓦供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥448.48037	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥448.48037	添加到BOM 立即询价
IKB06N60TATMA1 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥13.25451	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥13.25451	添加到BOM 立即询价
IXYF30N450 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 4500伏最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 230瓦供应商设备包装: ISOPLUS i4 PAC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥857.48693	1	5-7 工作日	- + 合计: ¥857.48693	添加到BOM 立即询价
RJH60F4DPQ-A0#T0 瑞萨电子 (Renesas)	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 235.8 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥7.82233	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥39.11166	添加到BOM 立即询价
STGD5H60DF 意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.16674	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥14.16674	立即购买加入购物车
HGTP10N40E1	集电极击穿电压: 400伏最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.82233	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,088.56264	添加到BOM 立即询价
AOD5B60D 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 54.4 W 供应商设备包装: TO-252（DPak）工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.00431	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥10,010.77500	添加到BOM 立即询价
IRGS4B60KD1TRRP 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 63 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥2.92323	698	2-3 工作日	- + 合计: ¥757.11761	立即购买加入购物车
STGD4M65DF2 意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 68 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.15283	2477	2-3 工作日	- + 合计: ¥3.15283	立即购买加入购物车
HGT1S7N60B3DS	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.89476	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥394.73805	添加到BOM 立即询价
RGT8NS65DGTL 罗姆 (Rohm)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.05363	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥9.05363	添加到BOM 立即询价

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