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什么是存储器:

存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式：CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM（非易失性或易失性）。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb，接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

存储格式:
PROM
FLASH, RAM
FLASH
SRAM
NVSRAM
EEPROM
CBRAM
EERAM
PCM (PRAM)
EPROM
PSRAM
FRAM
DRAM
RAM
更多
存储类型:
Non-Volatile
Volatile
电源电压:
1.6伏~5.5伏
1.5伏~3.6伏
1.7伏~3伏
2.4伏~2.6伏
3.14伏~3.63伏
0.95伏
2.3伏~3.6伏
1.283V～1.45V
1.7伏～1.95伏
4.94V ~ 5.46V
2.8伏~4.5伏
2.65伏~5.5伏
2.7伏~5.5伏
1.8伏~3.6伏
1.06伏~1.17伏，1.7伏~1.95伏
1.283V～1.45V、1.425V～1.575V
1.7伏~2.2伏
1.425伏~ 1.575伏
2.7伏~3.3伏
2伏~5.5伏
4V ~ 6.5V
1.65伏~2.2伏
4.5伏~6.5伏
1.65伏~4.4伏
1.26伏~ 1.34伏
1.7伏~3.6伏
2.375伏~2.625伏
1V
1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
2.3V ~ 3V
2.5伏~3.6伏
1.75伏～1.95伏
3.135V~3.6V
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
1.65伏~2.1伏
1.65V~2V
1.7伏~5.5伏
1.65伏~3.6伏
1.6伏~3.6伏
2.4伏~3.6伏
2.5伏~6伏
1.4伏~1.6伏
1.8伏~5.5伏
1.71V~3.63V
2.6伏~3.3伏
2.35伏~3.6伏
4.5伏~6伏
1.65伏～1.95伏
3.135V ~ 3.63V
2.5伏~2.7伏
1.65伏~2.75伏
1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V
2.5V ~ 6.0V
2.85伏~5.25伏
3V～5.5V
1.2伏～1.35伏
1.7伏~1.9伏
2.5伏~5.5伏
3.15伏~3.6伏
3.135V~3.465V
2V~3.6V
2.7V~3.6V、4.5V~5.5V
4.5V～12.5V
2.7V ~ 3.65V
1.7伏～1.98伏
1.14伏～1.26伏
1.275V～1.455V
1.65V~3V
2.8V ~ 5.25V
1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏
2.7伏~4.5伏
2.2伏~3.6伏
3V～5.25V
1.65伏~2.25伏
5V
3.15伏~3.45伏
1.42V~1.58V，1.7V~1.9V
1.4伏~1.65伏
4.75伏~5.5伏
3V~3.6V，4.5V~5.5V
1.71V～1.89V
2.9伏~5.5伏
3.3伏
2.3伏~2.7伏
2.8伏~3.6伏
2.8伏~6伏
4.5伏~5.5伏
2.2伏~5.5伏
1.25伏~ 1.35伏
2.1伏~3.6伏
2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
1.14伏～1.95伏
4.75伏~5.25伏
1.7伏~2伏
3V~3.6V
2.375伏~3.465伏
1.8伏~6伏
2.2V ~ 3.7V
2.65伏~3.6伏
2.7伏~3.6伏
更多
时钟频率:
45兆赫
375兆赫
333兆赫
450兆赫
1.33 GHz
800 kHz
250兆赫
4兆赫
85 MHz
6.5 MHz
401 kHz
50 MHz
30兆赫
360兆赫
133兆赫
34兆赫
75 MHz
15兆赫
5 MHz
3.4兆赫
1.5千兆赫
2千赫
266兆赫
87 MHz
56 MHz
400千赫
1.25兆赫
40兆赫
633 MHz
100兆赫
625 MHz
7 GHz
104兆赫
25兆赫
108兆赫
90 MHz
3兆赫
80 MHz
67 MHz
1.066千兆赫
550 MHz
54 MHz
2.133 GHz
10兆赫
33兆赫
125千赫
14兆赫
250千赫
8 MHz
183 MHz
300兆赫
225兆赫
533 MHz
267兆赫
52 MHz
65 MHz
166兆赫
120兆赫
143兆赫
20兆赫
350兆赫
86 MHz
1 GHz
312兆赫
28兆赫
1.6千兆赫
233兆赫
2兆赫
150兆赫
13兆赫
800 MHz
714 MHz
1.333千兆赫
933兆赫
1.067 GHz
167兆赫
278 MHz
125兆赫
357 MHz
500 MHz
900 kHz
675 MHz
667 MHz
1兆赫
366 MHz
1.25千兆赫
400兆赫
12兆赫
100千赫
16兆赫
113兆赫
1.2千兆赫
117兆赫
66 MHz
8 GHz
200兆赫
70 MHz
83 MHz
600 MHz
2.1兆赫
更多
存储容量:
16Kb (4K x 4)
256Gb (32G x 8)
16Mb (2M x 8, 1M x 16)
8Mb (512K x 18)
288Mb (16M x 18)
18Mb (512K x 36)
1Kb (128 x 8, 64 x 16)
4Kb (256 x 16)
2Mb (64K x 32)
4.5Mb (128K x 36)
1Mb (256K x 4)
16Kb (2K x 8, 1K x 16)
256Mb (16M x 16)
8Kb (512 x 16)
4Kb (512 x 8, 256 x 16)
32KB（32K x 8）
8Gb (512M x 16)
8Mb (256K x 32)
64Kb (64K x 1)
1Mb (64K x 16)
2Gb (128M x 16)
64Mb (8M x 8)
16Kb (1K x 16, 2K x 8)
8Gb
256KB
128Kb (16K x 8)
8Gb (1G x 8)
32Mb (8M x 4)
32Kb (4K x 8)
4Kb (512 x 8)
16Kb (2K x 8)
8Mb (512K x 16)
512Kb (64K x 8)
8Kb (1K x 8)
256Kb (32K x 8)
8Mb (1M x 8)
16Mb (2M x 8)
8Kb (256 x 8 x 4)
144Mb (4M x 36)
1Kb (256 x 4)
512Mb (16M x 32)
4Kb (256 x 8 x 2)
2Gb (256M x 8)
4Gb (128M x 32)
32Mb (2M x 16)
64Mb (4M x 16)
1Kb (128 x 8)
32Mb (4M x 8)
2Gb (64M x 32)
2Kb (128 x 16)
128Mb (2M x 16)
18Mb (512K x 32)
1Mb (128K x 8)
64Kb (8K x 8)
9Mb（256K x 36）
256Mb (32M x 8)
256Mb (8M x 32)
72Mb (4M x 18)
576Kb (16K x 36)
144Mb (8M x 18)
64Gb (8G x 8)
16Kb (1K x 16)
4Mb (1M x 4)
4Gb (512M x 8)
1Kb (64 x 16)
4Mb (2M x 2)
512Mb (64M x 8)
16Mb (1M x 16)
4Mb (512K x 8, 256K x 16)
2Mb (128K x 16)
8Mb (1M x 8, 512K x 16)
288Kb (32K x 9)
36Mb (1M x 36)
256Kb (64K x 4)
256b (16 x 16)
4Mb (256K x 16)
4.5Mb (256K x 18)
72Mb (2M x 36)
8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
9Mb（512K x 18）
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
1.152Mb（64K x 18）
576Mb (8M x 72)
512Mb (32M x 16)
4Gb (256M x 16)
2Mb (256K x 8)
4Gb (1G x 4)
64Kb (4K x 16)
2Kb (256 x 8)
2Kb (256 x 8, 128 x 16)
1Mb (64K x 18)
4Mb (512K x 8)
18Mb (1M x 18)
32Mb (256 Bytes x 16384 pages)
1Gb（128M x 8）
128Mb (4M x 32)
64Mb (2M x 32)
1Gb (64M x 16)
128Mb (16M x 8)
128Mb (8M x 16)
更多
制造厂商:
高通半导体 (GENITOP)
柯夏 (Kioxia)
英飞凌 (Infineon)
澜智 (Zetta)
加贺电子 (Kaga FEI)
联盟内存 (Alliance Memory )
夏普株式 (Sharp)
恩智浦 (NXP)
美国诺沃顿技术 (Nuvoton)
晶存 (Rayson)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
慧荣科技 (Silicon Motion )
艾普凌科有限公司 (ABLIC)
阿德斯托 (Adesto)
Insignis (Insignis)
松下电子元件 (Panasonic)
维京 (Viking)
铠侠 (KIOXIA)
钰创 (Etron)
弗莱克森私人有限公司 (Flexxon Pte )
安世半导体 (Nexperia)
德国重离子研究中心 (GSI)
戴泺格 (Dialog)
东芝 (Toshiba)
华冠 (HGSEMI)
微芯 (Microchip)
ATP (ATP)
华邦电子 (Winbond)
江波龙 (FORESEE)
旺宏 (Macronix)
英锐芯 (IDCHIP)
首鼎半导体 (SHOUDING)
芯天下 (XTX)
美国微芯 (MICROCHIP)
费利蒙 (Fremont Micro)
米客方德 (MK)
罗姆 (Rohm)
镁光 (Micron)
美国芯成 (ISSI)
迪浦 (PUOLOP)
瑞士比特 (Swissbit)
博雅 (BOYAMICRO)
德州仪器 (Texas)
IDT公司 (IDT)
霍尼韦尔航天 (Honeywell)
海力士 (HYNIX)
兆易创新 (GigaDevice)
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
普冉 (PUYA)
芯成 (ISSI)
杰盛微 (JSMSEMI)
视差 (Parallax)
模拟器件公司 (Analog)
三星半导体 (Samsung)
复旦微 (FM)
闪迪 (SANDISK)
富士通 (FUJITSU)
虹晶科技 (Socle)
辉芒微 (FMD)
金士顿 (Kingston)
罗切斯特电子 (Rochester)
航顺 (HK)
旭化成微器件 (Asahi Kasei)
东芯半导体 (Dosilicon)
瑞萨电子 (Renesas)
上海贝岭 (BL)
英特尔 (Intel RealSense)
日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro)
乐山无线电 (LRC)
更多
供应商设备包装:
8-TSSOP-B
32-PDIP
8-SO
32-TSOP II
44-SOJ
36-SOJ
86-TSOP II
SC-70-5
28-TSOP I
78-FBGA (8x10.5)
28-SOJ
32-LCC (11.43x13.97)
8-USON (4x4)
24-CSPBGA (6x8)
84-TWBGA (8x12.5)
SOT-23-6
54-TSOP II
32-PLCC（11.43x13.97）
8-DFN (5x6)
54-TFBGA (8x8)
60-TFBGA (8x13)
8-TSSOP
60-FBGA (8x10)
200-VFBGA (10x14.5)
56-TSOP
44-TSOP II
60-VFBGA (8x9)
64-FBGA (9x9)
24-BGA (8x6)
8-DFN (4x4.5)
8-UDFN (2x3)
8-MSOP
100-TQFP（14x20）
60-VFBGA (8x9.5)
16-SOP
48-FBGA (6x7)
28-PDIP
96-FBGA（9x13）
36-VFBGA（6x8）
8-WSON (6x8)
8-SOP
8-USON (2x3)
8-DIP
48-TFBGA (8x10)
90-TFBGA (8x13)
8-SOP-J
84-FBGA (8x12.5)
63-BGA (9x11)
96-FBGA（7.5x13.5）
8-WSON (6x5)
24-FBGA (6x8)
48-TFBGA (6x8)
64-LFBGA (9x9)
8-DIPK
60-FBGA (8x13)
8-UFDFPN (2x3)
32-TSOP
67-VFBGA (6.5x8)
48-FBGA (10x10)
8-DFN (2x3)
63-VFBGA (10.5x13)
8-UDFN (5x6)
VSON008X2030
8-VFBGA (1.5x2)
28-SOIC
64-LFBGA, CSP (11x13)
96-TWBGA（9x13）
48-TSOP
66-TSOP II
24-CDIP
8-PDIP
8-USON (1.5x1.5)
8-SOIJ
48-TFBGA
16-SOIC
134-TFBGA (10x11.5)
54-FBGA (8x8)
24-BGA (6x8)
8-WSON (5x6)
48-VFBGA (6x8)
90-FBGA (8x13)
32-TSOP I
63-VFBGA (9x11)
8-SOIC
32-SOP
24-VFBGA (6x8)
32-SOJ
32-VSOP
4-WLCSP (0.84x0.86)
32-PLCC（13.97x11.43）
63-TFBGA (9x11)
8-WSON (8x6)
96-FBGA（7.5x13）
28-TSOP
32-SOIC
165-FBGA (13x15)
8-WDFN (5x6)
48-miniBGA (7.2x8.7)
96-VFBGA（7.5x13）
24-EDIP
更多

当前"存储器"共 46738 条相关库存

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品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
NM24C02ULEM8X	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (128 x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏时钟频率: 100千赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥2.46259	25437	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,154.76275	添加到BOM 立即询价
IS61C5128AS-25QLI 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 32-SOP	¥20.09253	999	2-3 工作日	- + 合计: ¥20.09253	立即购买加入购物车
AT24C08BU3-UU-T	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏时钟频率: 1兆赫供应商设备包装: 8-VFBGA (1.5x2)	¥2.46259	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,154.76275	添加到BOM 立即询价
AS4C8M16SA-6TAN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫供应商设备包装: 54-TSOP II	¥25.51694	2656	2-3 工作日	- + 合计: ¥25.51694	立即购买加入购物车
FM34W02ULEMT8X	存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏时钟频率: 400千赫供应商设备包装: 8-TSSOP	¥2.46259	5154	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,154.76275	添加到BOM 立即询价
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 富士通 (FUJITSU)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.8伏~3.6伏时钟频率: 40兆赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥43.42626	32810	2-3 工作日	- + 合计: ¥43.42626	立即购买加入购物车
MX25U6432FM2I02 旺宏 (Macronix)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-SOP	¥9.83151	53323	2-3 工作日	- + 合计: ¥9.83151	立即购买加入购物车
MX30LF2G18AC-TI 旺宏 (Macronix)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏供应商设备包装: 48-TSOP	¥10.50293	5312	2-3 工作日	- + 合计: ¥10.50293	立即购买加入购物车
AT25SL641-MHE-T	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 104兆赫供应商设备包装: 8-UDFN (5x6)	¥14.12366	27206	5-7 工作日	- + 合计: ¥14.12366	添加到BOM 立即询价
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E 镁光 (Micron)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)	¥29.67706	1251	2-3 工作日	- + 合计: ¥29.67706	立即购买加入购物车
IS61LV25616AL-10BLI 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10)	¥31.96509	393	2-3 工作日	- + 合计: ¥31.96509	立即购买加入购物车
IS43R86400F-5TL 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏时钟频率: 200兆赫供应商设备包装: 66-TSOP II	¥34.01990	83	2-3 工作日	- + 合计: ¥34.01990	立即购买加入购物车
S25FS256SAGNFI000 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 133兆赫供应商设备包装: 8-WSON (6x8)	¥39.18409	2581	5-7 工作日	- + 合计: ¥39.18409	添加到BOM 立即询价
S25FS256SDSNFI000 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)	¥39.18409	5795	5-7 工作日	- + 合计: ¥39.18409	添加到BOM 立即询价
SST49LF080A-33-4C-NHE 美国微芯 (MICROCHIP)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫供应商设备包装: 32-PLCC（11.43x13.97）	¥39.59960	83	2-3 工作日	- + 合计: ¥39.59960	立即购买加入购物车
AS1C2M16P-70BIN 联盟内存 (Alliance Memory )	存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.6伏~3.3伏供应商设备包装: 48-FBGA (6x7)	¥88.56312	127	2-3 工作日	- + 合计: ¥88.56312	立即购买加入购物车
IS25WP256D-JMLE 美国芯成 (ISSI)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏时钟频率: 104兆赫供应商设备包装: 16-SOIC	¥38.80239	263	2-3 工作日	- + 合计: ¥38.80239	立即购买加入购物车
MB85RS16NPNF-G-JNERE1 富士通 (FUJITSU)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 20兆赫供应商设备包装: 8-SOIC	¥4.26684	9649	2-3 工作日	- + 合计: ¥4.26684	立即购买加入购物车
MX25U1635EZNI-10G 旺宏 (Macronix)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 104兆赫供应商设备包装: 8-WSON (6x5)	¥7.35299	3231	2-3 工作日	- + 合计: ¥7.35299	立即购买加入购物车
CY7C1049GN-10VXIT 英飞凌 (Infineon)	存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏供应商设备包装: 36-SOJ	¥55.84276	846	5-7 工作日	- + 合计: ¥55.84276	添加到BOM 立即询价

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