存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.4伏~1.6伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥41.13967 | 1768 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.13967 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-VFBGA (10x14.5) | ¥131.71648 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥131.71648 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥36.09995 | 28191 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36.09995 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-VFBGA (10x14.5) | ¥123.50303 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥123.50303 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP | ¥36.09995 | 884 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36.09995 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) | ¥59.02964 | 1572 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.02964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥52.00402 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.00402 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-CDIP | ¥163.68954 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥163.68954 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥43.83693 | 775 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥43.83693 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6) | ¥61.49222 | 650 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.49222 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥106.10339 | 332 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥106.10339 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥248.82169 | 96 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥248.82169 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥38.24388 | 1267 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥38.24388 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8) | ¥55.26333 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.26333 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) | ¥257.55752 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥257.55752 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥128.19933 | 121 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.19933 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥2.67987 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15) | ¥205.48107 | 28 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥205.48107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 100千赫 供应商设备包装: 8-DIP | ¥2.67987 | 4200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-TFBGA (9x11) | ¥83.09779 | 76 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥83.09779 | 立即购买 加入购物车 |