什么是BSS84 MOSFET：引脚配置及其工作

发布时间: 2023-05-27 07:28:20 电子资讯发布人: 久芯网浏览量: 129

像BSS84 MOSFET这样的p沟道增强型晶体管的开发是由ON半导体公司利用DMOS技术和高单元密度开发的。这种开发过程非常高，可以降低导通电阻。。。

像BSS84 MOSFET这样的p沟道增强型晶体管的开发是由ON半导体公司利用DMOS技术和高单元密度开发的。这种开发过程非常高，可以降低导通电阻，还可以提供快速切换、可靠和坚固的性能。

这种晶体管在大多数需要高达0.13A直流电的应用中使用起来毫不费力，并且可以产生等于0.52A的电流。这种晶体管特别用于基于低电压的应用。本文概述了BSS84 MOSFET、引脚配置、工作原理及其应用。

什么是BSS84 MOSFET？

BSS84是一种P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。它主要设计用于不同的应用，如具有高速、计算、消费、工业和通信应用的开关设备。

这是一种扩散MOS（金属氧化物半导体）晶体管，由于其快速开关特性，适用于使用高频的应用。这种MOSFET主要用于降低状态电阻，同时保持更好的开关性能，因此非常适合高效应用的电源管理。

BSS84MOSFET是一种三端晶体管，其中每个引脚及其功能将在下面讨论。BSS84 MOSFET的引脚图如下所示。

引脚1（排放）：该晶体管中的电流将流经源极引脚，并通过漏极引脚流出。

引脚2（门）：该晶体管的激活和去激活可以基于栅极引脚处施加的电压来完成。

引脚3（来源）：源极引脚用于向晶体管供电。

BSS84 MOSFET的特点和规格包括以下内容。

等效BSS84 MOSFET为ZXMP2120FF、NDS332P、AO3401和IRLML6402

BSS84MOSFET被用作高速开关器件，以取代数字电路中使用的所有常用晶体管，因为它是通过高单元密度方法专门设计的，用于高速开关应用。

该晶体管专门设计用于使用低电压的应用。因此，这种设备主要是在通过电池运行的系统中选择的。

这种设计可以通过特殊的设计程序来完成，从而在整个操作过程中获得极低的导通电阻。因此，在某些应用中，这种电阻特性是一种条件。因此，这种晶体管被用于高效应用。

BSS84 MOSFET的简单应用电路如下所示。在这里，这种MOSFET主要像开关器件一样使用，其中电路中使用的电机作为负载工作。

MOSFET的栅极端子由类似“Vo”的电压信号切换而来。这里，该电压信号是微处理器/微控制器的输出。

提供给MOSFET的电源是从负电源接收的，如VDS=-10V。我们知道P沟道增强MOSFET特性，

一旦G（栅极）到S（源极）的结点处的电压供应不低于固定阈值电压，该晶体管就不工作。

整个漏极（D）的电流可以通过等于固定点的G（栅极）端子上的电压来决定。

因此，当栅极电压低时，MOSFET的导通电阻低，漏极电流高。一旦栅极（G）端子处存在负电压，这种MOSFET就简单地执行，因此，栅极电压被直接去除，然后MOSFET将停止工作。

因此，为了便于理解，将相同的特性应用于该应用电路。让我们考虑像“Vo”这样的电压信号没有被提供给晶体管的栅极端子。因此，在这种情况下，晶体管将不会发挥作用，因为栅极端子需要至少负-2V电压才能激活器件。

当在设定的时间通过微控制器给出-5V栅极信号时，MOSFET将开始执行。因此，现在整个晶体管都有电流供应，这种电流会导致负载以外的电压下降。因此，这个电压降将接通负载。

电路中使用的负载是电机，电机将持续旋转，直到微控制器的负电压出现&直流电压（如“Vo”）将变为0V，以阻止电机旋转。
因此，BSS84在上述应用中被用作开关器件&在类似的方法中，我们可以在其他不同的电路中使用晶体管。

这个BSS84 MOSFET的应用包括以下内容。

因此，这一切都是关于BSS84 MOSFET数据表的概述，其中包括其引脚配置、规格、功能、电路和应用。BSS84 MOSFET的主要优点主要包括，饱和电流高，DMOS技术，开关优越，基于高密度的单元设计，由电压控制的小信号p沟道开关，性能可靠且坚固。这里有一个问题要问你，MOSFET的缺点是什么？

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