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品牌介绍

从消费电子产品到汽车和工业设施,Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收购的公司战略的一部分,它们正在向邻近市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和配电的产品。

英文全称: Littelfuse Inc.

中文全称: 力特

英文简称: Littelfuse

品牌地址: http://www.littelfuse.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
Q8015R5
Q8015R5
双向晶闸管类别: 标准 断态电压: 800 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 15A 参数配置: 单个的 供应商设备包装: TO-220 Non-Isolated Tab 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TJ)

¥16.17734

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.17734

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LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 139W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥121.75315

757

5-7 工作日

- +

合计: ¥121.75315

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LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥88.21852

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.21852

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LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥58.59506

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.59506

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LSIC1MO120G0080
LSIC1MO120G0080
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥119.94242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥119.94242

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LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥221.77760

3150

5-7 工作日

- +

合计: ¥221.77760

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LSIC1MO120G0025
LSIC1MO120G0025
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥319.84646

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥319.84646

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LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥154.05648

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥154.05648

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LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0160
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥78.51304

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥78.51304

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LSIC1MO120G0120
LSIC1MO120G0120
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥86.69751

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥86.69751

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SYC0102BLT1G
SYC0102BLT1G
SCR 0.25A GATE SCR

¥1.19950

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,598.49100

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LSIC1MO170E1000
LSIC1MO170E1000
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥53.81475

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.81475

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MG06200S-BN4MM
MG06200S-BN4MM
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: S3

¥771.00671

7

5-7 工作日

- +

合计: ¥771.00671

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MG06300D-BN4MM
MG06300D-BN4MM
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3

¥997.92676

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥997.92676

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MG12200D-BN2MM
MG12200D-BN2MM
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: D3

¥1,006.90796

12

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,006.90796

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MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 210 A 最大功率: 1100瓦 供应商设备包装: D3

¥897.27942

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥897.27942

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MG12200D-BA1MM
MG12200D-BA1MM
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: D3

¥7,537.49059

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,537.49059

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MG12300D-BA1MM
MG12300D-BA1MM
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1800瓦 供应商设备包装: D3

¥1,043.05003

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,043.05003

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MG12400D-BN2MM
MG12400D-BN2MM
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 1925 W 供应商设备包装: D3

¥5,299.44162

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,299.44162

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MG06600WB-BN4MM
MG06600WB-BN4MM
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: Module

¥598.22069

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥598.22069

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