从消费电子产品到汽车和工业设施,Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收购的公司战略的一部分,它们正在向邻近市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和配电的产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
双向晶闸管类别: 标准 断态电压: 800 V 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 15A 参数配置: 单个的 供应商设备包装: TO-220 Non-Isolated Tab 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥16.17734 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.17734 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 139W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥121.75315 | 757 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.75315 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥88.21852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.21852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥58.59506 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.59506 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥119.94242 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.94242 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥221.77760 | 3150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥221.77760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥319.84646 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥319.84646 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥154.05648 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥154.05648 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥78.51304 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.51304 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥86.69751 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.69751 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SCR 0.25A GATE SCR | ¥1.19950 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,598.49100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥53.81475 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.81475 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: S3 | ¥771.00671 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥771.00671 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3 | ¥997.92676 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥997.92676 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,006.90796 | 12 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,006.90796 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 210 A 最大功率: 1100瓦 供应商设备包装: D3 | ¥897.27942 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥897.27942 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: D3 | ¥7,537.49059 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,537.49059 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1800瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,043.05003 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,043.05003 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 1925 W 供应商设备包装: D3 | ¥5,299.44162 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,299.44162 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: Module | ¥598.22069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥598.22069 | 添加到BOM 立即询价 |