1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥106.65895 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.65895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 210A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥130.98060 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130.98060 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、34A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: PQFN (5x6) Single Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.75400 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.75400 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、95A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.17191 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.17191 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 160A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.62001 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.62001 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、69A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETμ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥73.61684 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.61684 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、17W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距S1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.41049 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.41049 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Tc) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.86291 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.86291 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Ta) 最大功耗: 143W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.52350 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.52350 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.63979 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.63979 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥58.31983 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.31983 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥60.84036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.84036 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥33.54911 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.54911 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 780毫安 (Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.83076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.36560 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.36560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK(LF701) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.56840 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.56840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.46700 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.46700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.68689 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.68689 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、39A(Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、21W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距S1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.02273 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.02273 | 添加到BOM 立即询价 |