品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.39016 | 576667 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,153.53146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.39016 | 47000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,153.53146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 341W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥24.46362 | 14 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.46362 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥43.98324 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥43.98324 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 196A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.02177 | 210 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.02177 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 179W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.61387 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.61387 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 53.5A (Tc) 最大功耗: 391W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥44.54311 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44.54311 | 立即购买 加入购物车 | |
 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥82.11203 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82.11203 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.76880 | 17 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28.76880 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 128W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.85916 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.85916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 139W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.43921 | 95 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.43921 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥53.23532 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.23532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.53502 | 998 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,529.94497 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 128W（Tc） 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥54.39418 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.39418 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31.2A (Tc) 最大功耗: 277.8W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.95999 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.95999 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.82473 | 993 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,804.95788 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.62106 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.62106 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.46259 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.76275 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 260A（Tj） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-16-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.98538 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.98538 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-13 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥57.21891 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.21891 | 添加到BOM 立即询价 |