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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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FD600R06ME3_B11_S2
FD600R06ME3_B11_S2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2250瓦 供应商设备包装: Module

¥4,225.42698

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,225.42698

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FF900R12IE4VPBOSA1
FF900R12IE4VPBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module

¥6,237.00605

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,711.01814

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FP25R12KS4CBOSA1
FP25R12KS4CBOSA1
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: Module

¥1,022.69748

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,226.97480

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FD600R17KE3KB5NOSA1
FD600R17KE3KB5NOSA1
参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 1700伏 最大功率: 4300 W 供应商设备包装: Module

¥3,258.22156

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,258.22156

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FS300R17KE4BOSA1
FS300R17KE4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 375 A 最大功率: 1800瓦 供应商设备包装: Module

¥4,171.04125

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,171.04125

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FF600R07ME4B11BOSA1
FF600R07ME4B11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 1800瓦 供应商设备包装: Module

¥4,056.11386

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,056.11386

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FS450R12KE4BOSA1
FS450R12KE4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 675 A 最大功率: 2250瓦 供应商设备包装: Module

¥6,256.85159

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25,027.40638

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FP50R12KT4GB15BOSA1
FP50R12KT4GB15BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: Module

¥683.22276

32

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,732.89103

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FF600R12IS4FBOSA1
FF600R12IS4FBOSA1
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 3700 W 供应商设备包装: Module

¥6,786.45244

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,786.45244

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FF650R17IE4DB2BOSA1
FF650R17IE4DB2BOSA1
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大功率: 4150 W 供应商设备包装: Module

¥6,317.49879

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,952.49636

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FF300R06KE3B2HOSA1
FF300R06KE3B2HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: Module

¥1,031.67868

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,316.78676

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FF600R12ME4B11BPSA1
FF600R12ME4B11BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 4050 W 供应商设备包装: Module

¥712.50375

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥712.50375

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FS300R17KE3BOSA1
FS300R17KE3BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 375 A 最大功率: 1650 W 供应商设备包装: Module

¥4,231.95404

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,231.95404

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FF600R12ME4CB11BOSA1
FF600R12ME4CB11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 1060 A 最大功率: 4050 W 供应商设备包装: Module

¥5,863.66642

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,863.66642

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FZ1200R12HE4HOSA2
FZ1200R12HE4HOSA2
IGBT MODULE 1200V 1200A

¥6,741.69132

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,483.38264

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F475R12KS4B11BOSA1
F475R12KS4B11BOSA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: Module

¥3,458.16361

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,458.16361

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FZ1200R12HP4HOSA2
FZ1200R12HP4HOSA2
IGBT型: 沟槽 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 1790 A 最大功率: 7150 W 供应商设备包装: Module

¥6,419.34606

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,838.69211

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FP75R07N2E4BOSA1
FP75R07N2E4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 95 A 供应商设备包装: Module

¥5,457.72988

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,457.72988

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FP75R07N2E4B11BOSA1
FP75R07N2E4B11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 供应商设备包装: Module

¥542.71050

23

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,713.55249

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FF650R17IE4DPB2BOSA1
FF650R17IE4DPB2BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 650 A 供应商设备包装: Module

¥6,534.42364

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,603.27092

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