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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C09389V-9AXI
CY7C09389V-9AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(64K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 67 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥289.71600

25

5-7 工作日

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合计: ¥2,317.72800

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CYD18S72V18-167BBXI
CYD18S72V18-167BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥1,563.52482

110

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,127.04965

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CY7C09569V-83AXC
CY7C09569V-83AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥226.34063

35

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,263.40625

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CYD18S72V18-200BBXC
CYD18S72V18-200BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥4.62097

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.62097

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CYD18S72V18-200BBXI
CYD18S72V18-200BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥25.95855

0

5-7 工作日

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合计: ¥25.95855

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CYD18S72V18-250BBXC
CYD18S72V18-250BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥60.47822

0

5-7 工作日

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合计: ¥60.47822

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CYD36S36V18-133BBXC
CYD36S36V18-133BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥32.25988

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.25988

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CYD36S36V18-133BBXI
CYD36S36V18-133BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥46.47045

0

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- +

合计: ¥46.47045

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CY7C09569V-83AXCT
CY7C09569V-83AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (16K x 36) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥51.13487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.13487

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CYD36S36V18-167BBXC
CYD36S36V18-167BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥11.61761

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.61761

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CYD36S36V18-167BBXI
CYD36S36V18-167BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥38.93783

0

5-7 工作日

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合计: ¥38.93783

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CY7C1339G-133AXE
CY7C1339G-133AXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥68.74961

0

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- +

合计: ¥68.74961

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CYD36S36V18-200BBXC
CYD36S36V18-200BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥52.56897

0

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- +

合计: ¥52.56897

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CY7C1339G-133AXET
CY7C1339G-133AXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥33.89677

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.89677

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CYDD09S36V18-167BBXC
CYDD09S36V18-167BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(128K x 36 x 2) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥102.03798

0

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合计: ¥102.03798

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CYDD09S36V18-167BBXI
CYDD09S36V18-167BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(128K x 36 x 2) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥13.67460

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.67460

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CYDD09S36V18-200BBXC
CYDD09S36V18-200BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(128K x 36 x 2) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥54.04652

0

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合计: ¥54.04652

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CYDD18S72V18-167BBXC
CYDD18S72V18-167BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥179.91364

0

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合计: ¥179.91364

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CY7C1006D-10VXI
CY7C1006D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥26.58144

12862

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合计: ¥2,179.67833

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CYDD18S72V18-167BBXI
CYDD18S72V18-167BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥88.68207

0

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