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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C1007D-10VXI
CY7C1007D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (1M x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥206.92965

3028

5-7 工作日

- +

合计: ¥206.92965

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CYDD18S72V18-200BBXC
CYDD18S72V18-200BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 36 x 2, 256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥22.09085

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.09085

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CY7C1020DV33-10VXI
CY7C1020DV33-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.42738

11556

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.26016

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CYK001M16SCAU-70BAXI
CYK001M16SCAU-70BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥32.81034

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.81034

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CY7C1346H-166AXC
CY7C1346H-166AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥39.11166

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,447.13142

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CY7C1061AV33-10BAXI
CY7C1061AV33-10BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 60-FBGA (8x20)

¥290.15057

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥290.15057

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S26KS128SDABHM030
S26KS128SDABHM030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥67.93840

878

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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CY7C106D-10VXI
CY7C106D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥42.13919

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.13919

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CY7C1399BN-15VXA
CY7C1399BN-15VXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥11.15407

7603

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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CYK256K16MCBU-70BVXI
CYK256K16MCBU-70BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥18.23762

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.23762

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CY7C199D-10ZXI
CY7C199D-10ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥18.25211

3315

5-7 工作日

- +

合计: ¥438.05059

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CYK256K16MCBU-70BVXIT
CYK256K16MCBU-70BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥20.16423

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.16423

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CY7C199D-10ZXIT
CY7C199D-10ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥18.25211

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥182.52108

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CYK256K16SCBU-70BVXI
CYK256K16SCBU-70BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥145.88649

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥145.88649

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CYK512K16SCAU-70BAXI
CYK512K16SCAU-70BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥20.83058

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.83058

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CYK512K16SCAU-70BAXIT
CYK512K16SCAU-70BAXIT
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥150.88409

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥150.88409

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CY14B101K-SP35XCT
CY14B101K-SP35XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥115.72706

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥115.72706

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CY14B101K-SP35XI
CY14B101K-SP35XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥149.63831

2162

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,244.57471

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CY14B101K-SP35XIT
CY14B101K-SP35XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥46.60082

0

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合计: ¥46.60082

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CY14B101K-SP45XI
CY14B101K-SP45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥144.85800

1194

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- +

合计: ¥2,317.72800

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