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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
S29GL512T12TFVV23
S29GL512T12TFVV23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥59.10206

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥59,102.06400

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CY7C1381F-133BGC
CY7C1381F-133BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥186.21496

1252

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,234.57951

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CY7C1381F-133BGCT
CY7C1381F-133BGCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥186.64953

5500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,239.79440

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CY7C1392CV18-200BZC
CY7C1392CV18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥266.97329

455

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,402.75965

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CY7C1392CV18-250BZC
CY7C1392CV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

650

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,336.84926

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CY7C1393BV18-167BZC
CY7C1393BV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥128.12690

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.12690

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CY7C1393BV18-250BZI
CY7C1393BV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥245.60674

1297

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,210.46065

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CY7C1393BV18-278BZC
CY7C1393BV18-278BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 278 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥245.60674

100

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,210.46065

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CY7C1399BN-15VXAT
CY7C1399BN-15VXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥11.58864

8036

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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CY7C0241-15AXI
CY7C0241-15AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (4K x 18) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥132.25535

302

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,248.34102

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CY7C1411BV18-250BZC
CY7C1411BV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥328.39309

96

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,298.75160

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CY7C0241-55AXI
CY7C0241-55AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (4K x 18) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥114.94482

423

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.95164

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CY7C1412AV18-200BZC
CY7C1412AV18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥299.85606

724

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,398.84848

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CY7C024-25JXI
CY7C024-25JXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31)

¥105.23934

168

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,210.02608

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CY7C1412AV18-200BZI
CY7C1412AV18-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥372.21263

203

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,233.27579

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CY7C024A-25JXC
CY7C024A-25JXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31)

¥105.23934

377

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,210.02608

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CY7C1412AV18-250BZC
CY7C1412AV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥314.70401

129

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,202.92804

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CY7C024BV-15AXI
CY7C024BV-15AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥193.16814

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,318.01772

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CY7C1412AV18-250BZXC
CY7C1412AV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥328.46552

58

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,299.25861

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CY7C025-25JXI
CY7C025-25JXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31)

¥63.10015

0

5-7 工作日

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合计: ¥63.10015

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