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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C1021B-12VXI
CY7C1021B-12VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥7.56159

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.56159

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CY14B256L-SP35XI
CY14B256L-SP35XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥84.59707

1556

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,199.52387

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CY7C1062DV33-10BGXI
CY7C1062DV33-10BGXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥665.04308

1794

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,325.21539

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CY7C1021B-12VXIT
CY7C1021B-12VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥42.79105

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.79105

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CY14B256L-SP35XIT
CY14B256L-SP35XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥38.86540

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.86540

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CY7C1069DV33-10BVXIT
CY7C1069DV33-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥21.94599

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.94599

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CY7C1021B-12ZXC
CY7C1021B-12ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.19608

611

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.19694

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CY14B256L-SP45XCT
CY14B256L-SP45XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥39.15512

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.15512

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CY7C1270V18-375BZXC
CY7C1270V18-375BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 375兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥31.52110

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.52110

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CY7C1021B-12ZXCT
CY7C1021B-12ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥35.46124

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.46124

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CY14B256L-SP45XIT
CY14B256L-SP45XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥37.22851

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.48185

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CY7C131-15NXI
CY7C131-15NXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥13.10965

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.10965

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CY7C1021B-15VXCT
CY7C1021B-15VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥67.28654

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.28654

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CY14B256L-SZ35XCT
CY14B256L-SZ35XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥70.47342

7794

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.67593

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CY7C1313CV18-200BZXI
CY7C1313CV18-200BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥213.37583

246

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,347.13417

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CY7C1021B-15VXE
CY7C1021B-15VXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥17.90445

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.90445

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CY7C1474V33-200BGC
CY7C1474V33-200BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥1,274.67797

550

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,549.35594

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CY7C1021B-15VXET
CY7C1021B-15VXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥35.11358

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.11358

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CY7C1470BV33-167BZXC
CY7C1470BV33-167BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,274.67797

142

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,549.35594

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CY7C1021B-15VXI
CY7C1021B-15VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥42.45788

0

5-7 工作日

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合计: ¥42.45788

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