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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1471BV25-133AXI
CY7C1471BV25-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥1,274.67797

287

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合计: ¥2,549.35594

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CY7C1021B-15VXIT
CY7C1021B-15VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥512.56555

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥512.56555

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CY7C1470BV33-167BZIT
CY7C1470BV33-167BZIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,147.27536

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,147,275.36000

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CY7C1021B-15ZXCT
CY7C1021B-15ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥589.39823

0

5-7 工作日

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合计: ¥589.39823

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S26KS256SDPBHI020
S26KS256SDPBHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥59.71054

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥100,910.81260

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CY7C1021B-15ZXE
CY7C1021B-15ZXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥51.87365

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.87365

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CY7C1021B-15ZXET
CY7C1021B-15ZXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥53.51055

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.51055

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CY7S1041G30-10BVXI
CY7S1041G30-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥66.34496

50

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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CY7C1021B-15ZXI
CY7C1021B-15ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.76151

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥344.03775

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CY7S1041G30-10ZSXI
CY7S1041G30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥61.05765

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥305.28824

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CY7C1021B-15ZXIT
CY7C1021B-15ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥62.86837

0

5-7 工作日

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合计: ¥62.86837

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CY7C1021BL-15ZXI
CY7C1021BL-15ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥18.10725

727

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.97725

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CY7C1470BV33-200BZXI
CY7C1470BV33-200BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥1,175.95724

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥123,475.51062

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CY7C1021BL-15ZXIT
CY7C1021BL-15ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥20.16423

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.16423

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CY7C1471BV33-133BZI
CY7C1471BV33-133BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥431.16984

27

5-7 工作日

- +

合计: ¥431.16984

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CY7C1021BN-12VXC
CY7C1021BN-12VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥132.61750

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥132.61750

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CY7C1041G30-10BAJXET
CY7C1041G30-10BAJXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x8)

¥59.75393

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥119,507.85000

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CY7C131-55NXI
CY7C131-55NXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥51.06245

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.06245

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CY7C1021BN-12VXCT
CY7C1021BN-12VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥311.58956

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥311.58956

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CY7S1041G-10ZSXI
CY7S1041G-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥66.34496

0

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合计: ¥2,189.38381

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