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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1412BV18-167BZC
CY7C1412BV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥299.85606

273

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,398.84848

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CY7C026A-15AXI
CY7C026A-15AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥193.16814

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,318.01772

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CY7C1412BV18-167BZXI
CY7C1412BV18-167BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥372.21263

398

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,233.27579

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CY7C027-15AXI
CY7C027-15AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥474.98938

7

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,374.94691

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CY7C1412BV18-200BZC
CY7C1412BV18-200BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥299.85606

67

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,398.84848

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CY14B256K-SP35XI
CY14B256K-SP35XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.45伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥93.07127

494

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,233.71036

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CY7C1412BV18-200BZI
CY7C1412BV18-200BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥372.21263

58

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,233.27579

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CY14B256K-SP35XIT
CY14B256K-SP35XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.45伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥74.47150

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.47150

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CY7C1474V25-200BGC
CY7C1474V25-200BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥1,274.67797

210

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,549.35594

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CY14B256K-SP45XCT
CY14B256K-SP45XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.45伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥256.47109

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥256.47109

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CY7C027AV-25AXI
CY7C027AV-25AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥41.12519

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.12519

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S26KS128SDPBHB020
S26KS128SDPBHB020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥59.32985

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,053.49031

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CY14B256K-SP45XI
CY14B256K-SP45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.45伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥81.12048

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C1474V33-167BGC
CY7C1474V33-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 209-FBGA (14x22)

¥1,274.67797

167

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,549.35594

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CY7C037AV-20AXC
CY7C037AV-20AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 576Kb (32K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥474.84452

437

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,374.22262

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CY14B256K-SP45XIT
CY14B256K-SP45XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.45伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥11.25547

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.25547

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CY7C09089V-12AXI
CY7C09089V-12AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥244.30302

91

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,198.72715

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CY7C1021B-12VXCT
CY7C1021B-12VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥52.55448

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥52.55448

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CY14B256L-SP35XCT
CY14B256L-SP35XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥169.02031

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥169.02031

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CY7C1061DV33-10BVXIT
CY7C1061DV33-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x9.5)

¥426.73718

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥426.73718

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