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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1370DV25-200BZCT
CY7C1370DV25-200BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥14.06571

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.06571

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CY7C1020B-12ZXCT
CY7C1020B-12ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥53.10494

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.10494

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CY7C1371D-133BGC
CY7C1371D-133BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥214.67956

1645

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,361.47512

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CY7C1020B-15ZXCT
CY7C1020B-15ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.34430

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.34430

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CY7C1020CV26-15ZSXE
CY7C1020CV26-15ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥11.80593

500

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.80593

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CY7C1020CV33-10ZXC
CY7C1020CV33-10ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.89476

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥236.84283

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CY7C1020CV33-10ZXCT
CY7C1020CV33-10ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥8.89428

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.89428

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CY7C1371D-133BGCT
CY7C1371D-133BGCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥29.37720

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.37720

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CY7C1372D-167BGC
CY7C1372D-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥186.21496

28

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,234.57951

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S25FL256LAGBHM030
S25FL256LAGBHM030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥50.12087

113

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.31819

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CY7C1380D-167BZCT
CY7C1380D-167BZCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥158.83680

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,223.71516

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S29GL512T11DHV010
S29GL512T11DHV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥59.10206

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥153,665.36640

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CY7C1380F-167BGC
CY7C1380F-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥232.71438

555

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,327.14377

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S29GL512T11DHV020
S29GL512T11DHV020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥59.10206

244

5-7 工作日

- +

合计: ¥30,733.07328

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CY7C1380F-167BGCT
CY7C1380F-167BGCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥51.93159

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.93159

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CY7C1381D-100BZC
CY7C1381D-100BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥232.71438

808

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,327.14377

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S29GL512T11DHV013
S29GL512T11DHV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥59.10206

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥130,024.54080

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CY7C1381D-100BZI
CY7C1381D-100BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥209.60953

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,305.70479

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S29GL512T12DHVV23
S29GL512T12DHVV23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥59.10206

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥130,024.54080

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CY7C1381D-100BZIT
CY7C1381D-100BZIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥129.40165

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥129.40165

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