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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1382D-200AXC
CY7C1382D-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥178.17534

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5-7 工作日

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合计: ¥2,672.63010

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CY7C1370KVE33-167AXM
CY7C1370KVE33-167AXM
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥256.94188

0

5-7 工作日

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合计: ¥184,998.15216

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CY7C1382D-200AXCT
CY7C1382D-200AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥26.87116

0

5-7 工作日

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合计: ¥26.87116

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CY7C1383D-100AXCT
CY7C1383D-100AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥40.37193

0

5-7 工作日

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合计: ¥40.37192

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CY7C1061GN30-10BV1XI
CY7C1061GN30-10BV1XI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥237.27740

0

5-7 工作日

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合计: ¥227,786.30784

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CY7C1061GN30-10BV1XIT
CY7C1061GN30-10BV1XIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥237.27740

0

5-7 工作日

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合计: ¥474,554.80800

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CY7C1383D-133AXCT
CY7C1383D-133AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥126.62038

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥126.62038

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CY7C1383D-133AXI
CY7C1383D-133AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥230.32422

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,842.59376

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CY7C1383D-133AXIT
CY7C1383D-133AXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥24.14783

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.14783

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CY7C107D-10VXIT
CY7C107D-10VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (1M x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥239.01570

0

5-7 工作日

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合计: ¥179,261.77500

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CY7C1386D-167AXCT
CY7C1386D-167AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥178.68234

5245

5-7 工作日

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合计: ¥2,322.87046

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CY7C1061GE-10BVXI
CY7C1061GE-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥87.63909

336

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.63909

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CY7C1386D-200AXC
CY7C1386D-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥209.60953

5464

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,886.48573

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CY7C1061GE30-10BVXI
CY7C1061GE30-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥87.63909

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.63909

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CY7C1386D-200AXCT
CY7C1386D-200AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥114.35091

0

5-7 工作日

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合计: ¥114.35091

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CY7C1069G-10ZSXI
CY7C1069G-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25,813.69560

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CY7C1387D-167AXC
CY7C1387D-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥178.68234

348

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,322.87046

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CY7C1061G30-10BVXIT
CY7C1061G30-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥478,031.40000

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CY7C1387D-167AXCT
CY7C1387D-167AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥13.42834

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合计: ¥13.42834

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CY7C1069G30-10BVXIT
CY7C1069G30-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

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合计: ¥478,031.40000

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