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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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CY7C1049CV33-12ZSXA
CY7C1049CV33-12ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥58.88478

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CY14B104L-BA25XCT
CY14B104L-BA25XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥18.64323

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CY7C1021BNV33L-10ZXC
CY7C1021BNV33L-10ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥8.11205

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CY14B104L-BA25XI
CY14B104L-BA25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥58.59506

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S29CD032J0MQFM013
S29CD032J0MQFM013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.65伏~2.75伏 时钟频率: 56 MHz 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20)

¥108.90941

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CY7C1011CV33-10ZSXA
CY7C1011CV33-10ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥42.80554

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CY7C1021BNV33L-10ZXCT
CY7C1021BNV33L-10ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.57176

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CY14B104L-BA25XIT
CY14B104L-BA25XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥37.02571

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CY7C1041CV33-8ZSXIT
CY7C1041CV33-8ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥63.37538

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CY7C1011CV33-10ZSXAT
CY7C1011CV33-10ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥65.08470

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CY7C1021BNV33L-12ZXC
CY7C1021BNV33L-12ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥12.53022

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CY62128BNLL-55ZXI
CY62128BNLL-55ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥17.52782

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CY14B104L-BA45XC
CY14B104L-BA45XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥149.63831

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CY7C1011CV33-12AXI
CY7C1011CV33-12AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TQFP(10x10)

¥20.28012

871

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合计: ¥2,190.25296

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CY7C1021BNV33L-12ZXCT
CY7C1021BNV33L-12ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥37.31542

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CY7C1049BNL-17VC
CY7C1049BNL-17VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥68.08326

1296

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合计: ¥2,178.66432

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CY14B104L-BA45XCT
CY14B104L-BA45XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥81.04805

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CY7C1011CV33-12AXIT
CY7C1011CV33-12AXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TQFP(10x10)

¥20.71469

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CY7C1370D-167AXCB
CY7C1370D-167AXCB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥292.10616

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CY7C1021BNV33L-15VXC
CY7C1021BNV33L-15VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥475.30807

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