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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1041BNV33L-15ZXCT
CY7C1041BNV33L-15ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥46.97745

0

5-7 工作日

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合计: ¥46.97745

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CY14B104N-BA25XI
CY14B104N-BA25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥88.07366

331

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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CY14ME256J2-SXI
CY14ME256J2-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥43.81955

2501

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.97725

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CY7C1312CV18-250BZI
CY7C1312CV18-250BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥245.38945

239

5-7 工作日

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合计: ¥2,208.50507

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CY7C1041CV33-10BAXA
CY7C1041CV33-10BAXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (7x8.5)

¥46.64428

0

5-7 工作日

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合计: ¥233.22138

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CY14B104N-BA25XIT
CY14B104N-BA25XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥26.95807

0

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合计: ¥26.95807

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CY14ME064Q1A-SXI
CY14ME064Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥26.07444

2124

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C1041CV33-10BAXAT
CY7C1041CV33-10BAXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (7x8.5)

¥12.47227

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.47227

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CY14B104N-BA45XC
CY14B104N-BA45XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥149.63831

296

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,244.57471

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CY14E101Q1A-SXI
CY14E101Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥54.53904

3959

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合计: ¥2,181.56148

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CY7C1041CV33-10ZSXA
CY7C1041CV33-10ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥46.64428

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥93.28855

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CY14B104N-BA45XCT
CY14B104N-BA45XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥101.77723

0

5-7 工作日

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合计: ¥101.77723

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CY14ME064J1-SXI
CY14ME064J1-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.23570

2520

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.09889

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CY7C1041CV33-10ZSXAT
CY7C1041CV33-10ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥35.63507

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.63507

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CY14B104N-BA45XI
CY14B104N-BA45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥164.63112

300

5-7 工作日

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合计: ¥2,304.83564

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CY14ME064Q2A-SXI
CY14ME064Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥29.98561

3554

5-7 工作日

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合计: ¥2,188.94924

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CY7C1041CV33-20ZSXA
CY7C1041CV33-20ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥46.64428

2281

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.28097

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CY14E101Q2A-SXI
CY14E101Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥74.89159

203

5-7 工作日

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合计: ¥2,246.74758

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CY7C1041CV33-20ZSXAT
CY7C1041CV33-20ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥36.74103

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CY7C1061DV18-15ZSXI
CY7C1061DV18-15ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥173.57404

988

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