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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY14B104L-ZS45XCT
CY14B104L-ZS45XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥13.37039

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.37039

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CY7C1041BNV33L-12VXC
CY7C1041BNV33L-12VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥61.78194

281

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,224.14973

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CY14B104L-ZS45XI
CY14B104L-ZS45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥164.63112

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,140.20452

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CY14B104L-ZS45XIT
CY14B104L-ZS45XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥81.17842

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥81.17842

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CY7C1041BNV33L-12VXCT
CY7C1041BNV33L-12VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥27.98657

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.98657

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CY7C1041BNV33L-12ZXC
CY7C1041BNV33L-12ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥72.79115

261

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY14B104N-BA20XC
CY14B104N-BA20XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥176.14733

372

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,289.91526

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CY7C1041BNV33L-12ZXCT
CY7C1041BNV33L-12ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥505.58339

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥505.58339

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CY14B104N-BA20XCT
CY14B104N-BA20XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥44.84804

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.84804

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CY7C1041BNV33L-15VXC
CY7C1041BNV33L-15VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥30.85475

408

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.68753

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CY14B104N-BA20XI
CY14B104N-BA20XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥96.91000

312

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,228.93005

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CY7C1041BNV33L-15VXCT
CY7C1041BNV33L-15VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥129.79277

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥129.79277

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CY14B104N-BA20XIT
CY14B104N-BA20XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥21.26515

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.26515

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CY7C1041BNV33L-15ZXC
CY7C1041BNV33L-15ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥61.78194

169

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,224.14973

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CY14B104N-BA25XC
CY14B104N-BA25XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥80.17890

40

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,245.00928

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CY14MB064J1A-SXI
CY14MB064J1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.23570

4645

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.09889

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CY7C131E-25NXC
CY7C131E-25NXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥81.04805

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,864.10517

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CY14B104N-BA25XCT
CY14B104N-BA25XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥71.95097

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.95097

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CY14E512Q1A-SXI
CY14E512Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥48.81715

430

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.77157

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CY14B108K-ZS45XI
CY14B108K-ZS45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥158.25737

269

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- +

合计: ¥158.25737

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