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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C2570KV18-500BZC
CY7C2570KV18-500BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,562.90017

16

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合计: ¥2,562.90017

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CY7C1413UV18-300BZC
CY7C1413UV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥488.02660

606

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合计: ¥2,440.13301

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CY7C1021CV33-10BAXI
CY7C1021CV33-10BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥11.58864

3819

5-7 工作日

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合计: ¥2,178.66432

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CY7C185-35SC
CY7C185-35SC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥162.28442

0

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合计: ¥162.28442

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CYD18S72V18-167BGI
CYD18S72V18-167BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 484-PBGA (27x27)

¥3,046.94317

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合计: ¥3,046.94317

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S29GL01GS11TFIV10
S29GL01GS11TFIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥488.26895

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CY7C1021CV33-10BAXIT
CY7C1021CV33-10BAXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥122.11529

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合计: ¥122.11529

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S29PL127J80TFI140
S29PL127J80TFI140
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥66.27254

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合计: ¥1,855.63098

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CY7C1168V18-375BZXC
CY7C1168V18-375BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 375兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥386.26386

355

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合计: ¥2,317.58314

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CY7C1354SV25-166AXC
CY7C1354SV25-166AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥81.41020

1014

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合计: ¥2,198.07529

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CY7C1021CV33-12BAXI
CY7C1021CV33-12BAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥5.79432

1997

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合计: ¥2,172.87000

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CY7C1021CV33-12BAXIT
CY7C1021CV33-12BAXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥138.91882

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合计: ¥138.91882

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CY7C1360C166AXI
CY7C1360C166AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥67.06925

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合计: ¥335.34627

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CY14B104L-ZS25XCT
CY14B104L-ZS25XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥42.31302

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合计: ¥42.31302

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CY7C1168V18-400BZXC
CY7C1168V18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥292.10616

602

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合计: ¥2,336.84926

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CY7C1021CV33-15ZSXA
CY7C1021CV33-15ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥23.17728

226

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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CY7C1354SV25-200AXC
CY7C1354SV25-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥104.80476

426

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合计: ¥2,200.90002

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CY7C1021CV33-15ZSXAT
CY7C1021CV33-15ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥32.27436

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CY7C188-20VC
CY7C188-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (32K x 9) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥44.97841

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合计: ¥44.97841

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S29GL512P10FAIR20
S29GL512P10FAIR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥68.66269

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合计: ¥1,853.89268

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