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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY62126DV30L-55BVXE
CY62126DV30L-55BVXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥6.37375

860

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.07568

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CY7C136E-55NXC
CY7C136E-55NXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PQFP (10x10)

¥94.15770

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,883.15400

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CY62126DV30L-55BVXET
CY62126DV30L-55BVXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥67.66317

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.66317

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CY14B104N-ZS25XI
CY14B104N-ZS25XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥176.14733

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,289.91526

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CY62126DV30L-55ZSXE
CY62126DV30L-55ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.16088

1266

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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CY621472EV30LL-45ZSXI
CY621472EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥29.98561

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.94924

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CY7C1049CV33-10VXA
CY7C1049CV33-10VXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ

¥46.64428

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,632.54966

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CY62126DV30L-55ZSXET
CY62126DV30L-55ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥30.88373

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.88373

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CYDD18S36V18-167BBXI
CYDD18S36V18-167BBXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 36 x 2) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥101.57443

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.57443

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CY62148EV30LL-55ZSXE
CY62148EV30LL-55ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥44.47141

1179

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.09889

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CY62128BLL-70ZRXE
CY62128BLL-70ZRXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥14.19608

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,419.60840

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CYDD18S36V18-200BBXC
CYDD18S36V18-200BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 36 x 2) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥101.03846

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.03846

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CY62256EV18LL-70SNXI
CY62256EV18LL-70SNXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.25伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥16.65867

7390

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.28577

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CY62128BLL-70ZRXET
CY62128BLL-70ZRXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥32.73791

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.73791

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S29GL512N11FFVR20
S29GL512N11FFVR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥103.71833

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,866.92990

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CYDM064B16-55BVXI
CYDM064B16-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥46.06484

5569

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,211.11251

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CY7C10212CV33-12BAXE
CY7C10212CV33-12BAXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA(7x7)

¥35.85236

486

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.99366

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CYDM128B16-55BVXI
CYDM128B16-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V 供应商设备包装: 100-VFBGA(6x6)

¥51.20730

35754

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.91403

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CY62128BLL-70ZXE
CY62128BLL-70ZXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥49.83115

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.83115

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CY7C1021D-10ZSXA
CY7C1021D-10ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥29.98561

670

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.94924

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