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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY14E256Q1A-SXI
CY14E256Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥46.86156

512

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,202.49346

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CY7C1041CV33-20ZSXE
CY7C1041CV33-20ZSXE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥55.48061

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,830.86026

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CY7C1041CV33-20ZSXET
CY7C1041CV33-20ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥40.31398

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.31398

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CY62126EV30LL-45ZSXA
CY62126EV30LL-45ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.43419

3079

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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CY7C1049D-10VXI
CY7C1049D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥14.23954

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.23954

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CY14E256Q2A-SXI
CY14E256Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥67.25757

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.25757

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CY62148ESL-55ZAXA
CY62148ESL-55ZAXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥55.48061

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,219.22456

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CY7C1049D-10VXIT
CY7C1049D-10VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥140.15012

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥140.15012

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CY14B104N-BA45XIT
CY14B104N-BA45XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥38.51774

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.51774

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CY7C1041DV33-10BVI
CY7C1041DV33-10BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥28.82674

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥172.96045

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CYDD18S36V18-167BBXC
CYDD18S36V18-167BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (256K x 36 x 2) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥128.50353

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.50353

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CY62177ESL-55ZXI
CY62177ESL-55ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥405.96455

906

5-7 工作日

- +

合计: ¥405.96455

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CY14B104N-ZS20XC
CY14B104N-ZS20XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥466.79042

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥466.79042

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S34ML16G202BHI000
S34ML16G202BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥83.07606

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,827.67339

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CY14B104N-ZS20XCT
CY14B104N-ZS20XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥68.83652

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.83652

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CY14B104N-ZS25XC
CY14B104N-ZS25XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥29.71038

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.71038

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CY7C1356C-166AXC
CY7C1356C-166AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥76.55745

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥229.67236

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CY14B104N-ZS25XCT
CY14B104N-ZS25XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.62931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.62931

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S29JL064J70TFA000
S29JL064J70TFA000
FLASH, 4MX16, 70NS, PDSO48

¥127.40261

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,783.63655

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CY7C1372D-167AXI
CY7C1372D-167AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥184.25938

5957

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合计: ¥368.51875

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