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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY14B104L-BA45XI
CY14B104L-BA45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥164.63112

237

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,304.83564

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CY7C2565KV18-500BZI
CY7C2565KV18-500BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥5,061.33852

16

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,061.33852

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CY7C1041DV33-10BVJXIT
CY7C1041DV33-10BVJXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥142.49682

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥142.49682

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CY7C1021BNV33L-15VXCT
CY7C1021BNV33L-15VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥38.89437

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.89437

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CY14B104L-BA45XIT
CY14B104L-BA45XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥109.46919

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥109.46919

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CY7C1021BNV33L-15VXI
CY7C1021BNV33L-15VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥16.29653

10163

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY14B104L-ZS20XC
CY14B104L-ZS20XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥34.60658

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.60658

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CY7C1021BNV33L-15VXIT
CY7C1021BNV33L-15VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥61.83409

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.83409

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CY14B104L-ZS20XCT
CY14B104L-ZS20XCT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥41.83499

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.83499

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S29GL064N90DFI010
S29GL064N90DFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥65.18610

8

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.21080

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CY7C1021BNV33L-15ZXC
CY7C1021BNV33L-15ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥11.87836

239

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,173.73915

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CY14B104L-ZS20XI
CY14B104L-ZS20XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.74031

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.74031

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CY7C1021BNV33L-15ZXCT
CY7C1021BNV33L-15ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥55.87173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.87173

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CY14B104L-ZS20XIT
CY14B104L-ZS20XIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥435.18240

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥435.18240

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S29GL512P11TFI013
S29GL512P11TFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥65.18610

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,825.21080

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CY7C1165V18-400BZXC
CY7C1165V18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥386.26386

458

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,317.58314

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CY7C2568KV18-500BZC
CY7C2568KV18-500BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,562.90017

16

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,562.90017

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CY7C1354SV25-166BZC
CY7C1354SV25-166BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥96.69272

35

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,223.93245

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CY14B104L-ZS25XC
CY14B104L-ZS25XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥160.14052

155

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,241.96727

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CY7C1021BNV33L-15ZXIT
CY7C1021BNV33L-15ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.17047

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.17047

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