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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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CY7C1565V18-400BZC
CY7C1565V18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥64.08518

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.08518

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CY7C1061G-10ZXI
CY7C1061G-10ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥229,455.07200

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CY7C1565V18-400BZXC
CY7C1565V18-400BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥30.81130

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.81130

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CY7C1061G-10ZXIT
CY7C1061G-10ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥239,015.70000

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CY7C1570V18-400BZC
CY7C1570V18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥690.46566

994

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,761.86263

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CY7C1061G18-15BVJXI
CY7C1061G18-15BVJXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥573,637.68000

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CY7C168A-20PXC
CY7C168A-20PXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (4K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 20-DIP

¥48.38257

1255

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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CY7C1061G18-15BVJXIT
CY7C1061G18-15BVJXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥478,031.40000

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CY7C185-20PXC
CY7C185-20PXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥73.37058

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥73.37058

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CY7C1061G18-15BVXI
CY7C1061G18-15BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥573,637.68000

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CY7C187-15PXC
CY7C187-15PXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (64K x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 22-PDIP

¥69.31455

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥69.31455

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CY7C1061G18-15BVXIT
CY7C1061G18-15BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥478,031.40000

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CY7C1911JV18-300BZC
CY7C1911JV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (2M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥291.88887

300

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,335.11096

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CY7C1061G18-15ZXI
CY7C1061G18-15ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥22,945.50720

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CY7C192-15VXC
CY7C192-15VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥66.95337

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥66.95337

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CY7C1061G18-15ZXIT
CY7C1061G18-15ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥239,015.70000

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CY7C192-15VXCT
CY7C192-15VXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥45.25364

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.25364

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CY7C1061G30-10ZXIT
CY7C1061G30-10ZXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥239,015.70000

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CY7C197N-25PXC
CY7C197N-25PXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (256K x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥138.77396

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,220.38342

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CY7C199CN-12VXAT
CY7C199CN-12VXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥24.62586

0

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合计: ¥2,191.70154

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