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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C199NL-15ZXC
CY7C199NL-15ZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥13.32694

1377

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.29057

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CY7C1061GE-10BV1XI
CY7C1061GE-10BV1XI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥239.01570

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,147,275.36000

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CY7C199NL-15ZXCT
CY7C199NL-15ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥75.44205

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥75.44205

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CYD02S36V-167BBC
CYD02S36V-167BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥1,138.94603

95

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,277.89205

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CY14B101P-SFXI
CY14B101P-SFXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥69.38698

833

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,220.38342

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CYD02S36V-167BBXC
CYD02S36V-167BBXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥1,138.94603

132

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,277.89205

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CY62128EV30LL-45ZAXA
CY62128EV30LL-45ZAXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥26.21930

452

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.21930

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CYD02S36V18-200BBC
CYD02S36V18-200BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥799.03673

307

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,397.11018

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CY62148ELL-45ZSXA
CY62148ELL-45ZSXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥51.71431

2467

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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CYD04S18V-167BBC
CYD04S18V-167BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 256-FBGA(17x17)

¥23.13382

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.13382

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CY7C0241E-25AXC
CY7C0241E-25AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (4K x 18) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥165.13812

1059

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,311.93368

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CY7C1351F-100AC
CY7C1351F-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥12.90685

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.90685

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CYD04S72V-133BBC
CYD04S72V-133BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (64K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 484-FBGA(23x23)

¥1,351.88729

1447

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,703.77457

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CY7C1355B-100AC
CY7C1355B-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥37.54719

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.54719

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CYD04S72V-133BBI
CYD04S72V-133BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (64K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 484-FBGA(23x23)

¥1,660.94183

205

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,321.88366

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CY7C1355B-117AC
CY7C1355B-117AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥200.46899

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥200.46899

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CYD04S72V-167BBC
CYD04S72V-167BBC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (64K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 484-FBGA(23x23)

¥13.83394

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.83394

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CY7C024E-55AXC
CY7C024E-55AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥229.38264

1875

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,835.06114

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CY7C1361B-100AC
CY7C1361B-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥60.34784

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.34784

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CYD09S72V-133BBI
CYD09S72V-133BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(128K x 72) 电源电压: 1.42V~1.58V,1.7V~1.9V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 484-FBGA(23x23)

¥2,077.11886

934

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,154.23772

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