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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S70GL02GP11FAIR10
S70GL02GP11FAIR10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8, 128M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥146.88601

2729

5-7 工作日

- +

合计: ¥146.88601

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CY27C010-70WMB
CY27C010-70WMB
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CERDIP

¥497.29751

29

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,486.48757

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CY7C1049G30-10VXI
CY7C1049G30-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥39.50495

5289

2-3 工作日

- +

合计: ¥39.50495

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CY7C09349AV-12AXC
CY7C09349AV-12AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Kb (4K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥178.68234

252

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,965.50577

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CY7C1360C-166BZXC
CY7C1360C-166BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥98.28615

90

5-7 工作日

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合计: ¥2,260.58152

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CY7C026AV-25AXC
CY7C026AV-25AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥181.07250

29742

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.72500

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CY7C199N-35PXC
CY7C199N-35PXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥3.91117

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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CY7C09269V-7AC
CY7C09269V-7AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥98.72073

38

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,270.57672

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STK11C88-SF25I
STK11C88-SF25I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥181.07250

14796

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.72500

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CY14B256L-SZ25XC
CY14B256L-SZ25XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥85.46622

829

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,222.12172

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STK11C88-SF25ITR
STK11C88-SF25ITR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥181.07250

7000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.72500

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S29GL128P10FFIS10
S29GL128P10FFIS10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥47.87557

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.87557

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S27KS0642GABHI030
S27KS0642GABHI030
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥31.78257

117

2-3 工作日

- +

合计: ¥31.78257

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CY7C1380F-167BZI
CY7C1380F-167BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥182.08651

9397

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,820.86506

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S34ML01G100BHI000
S34ML01G100BHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥22.83252

10740

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,552.61122

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S29GL128P10TFI010
S29GL128P10TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥88.18478

157

2-3 工作日

- +

合计: ¥88.18478

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CY7C1373BV25-100AC
CY7C1373BV25-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥105.52905

89

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,216.11011

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S25FL032P0XMFV000
S25FL032P0XMFV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥8.54662

16634

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.88386

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S29GL128P10TFI020
S29GL128P10TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥47.87557

0

5-7 工作日

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合计: ¥47.87557

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CY27C010-70ZC
CY27C010-70ZC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥14.05123

5060

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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