品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C172A-15VCT
CY7C172A-15VCT
STANDARD SRAM, 4KX4, 15NS, CMOS,

¥18.32454

1000

5-7 工作日

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合计: ¥2,180.61990

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CY7C1347G-250AXC
CY7C1347G-250AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥16.51381

53

5-7 工作日

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合计: ¥16.51381

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CY7C09289V-7AC
CY7C09289V-7AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥365.04216

48

5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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CY7C1327G-133BGC
CY7C1327G-133BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥26.87116

362

5-7 工作日

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合计: ¥2,176.56388

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S25FL116K0XMFB040
S25FL116K0XMFB040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.97880

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,817.24361

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CY7C1041CV33-10VXC
CY7C1041CV33-10VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥27.01602

2250

5-7 工作日

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合计: ¥2,188.29738

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CY7C109V33-25VC
CY7C109V33-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥1.26744

2259

2-3 工作日

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合计: ¥190.11630

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CY7C1360C-250AXCB
CY7C1360C-250AXCB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥92.20212

1129

5-7 工作日

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合计: ¥2,212.85081

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CY7C2263KV18-550BZXI
CY7C2263KV18-550BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥334.40469

175

5-7 工作日

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合计: ¥334.40469

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S29GL01GP12FAI010
S29GL01GP12FAI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥94.15770

236

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,883.15400

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CY7C1170KV18-400BZC
CY7C1170KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥358.66841

126

5-7 工作日

- +

合计: ¥358.66841

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CY7C150-10DC
CY7C150-10DC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Kb (1K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥189.76398

19

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,277.16776

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CY7C019V-20AC
CY7C019V-20AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(128K x 9) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥192.66114

32

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,311.93368

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S29GL256P90TFCR23
S29GL256P90TFCR23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 56-TSOP

¥53.23532

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53,235.31500

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CY14B104LA-ZS45XI
CY14B104LA-ZS45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥232.06252

364

5-7 工作日

- +

合计: ¥232.06252

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S29GL512P11TAI020
S29GL512P11TAI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥95.17171

915

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,903.43412

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S29GL512P10TFIR20
S29GL512P10TFIR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥96.11328

0

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合计: ¥2,787.28521

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S25FS512SAGNFV013
S25FS512SAGNFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥76.14095

0

2-3 工作日

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合计: ¥190,352.37500

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S29GL512P11FFI012
S29GL512P11FFI012
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (11x13)

¥96.62029

400

5-7 工作日

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合计: ¥1,835.78543

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S29GL256S10TFI010
S29GL256S10TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥676.21992

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2-3 工作日

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合计: ¥676.21992

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