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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C199CN-12VXA
CY7C199CN-12VXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥37.30094

8

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.30094

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S34MS01G104BHI010
S34MS01G104BHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥27.33507

375

2-3 工作日

- +

合计: ¥27.33507

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FM25040B-GA
FM25040B-GA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 14兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥10.86435

7428

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.86435

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CY7C1021BN-15VI
CY7C1021BN-15VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥14.48580

1125

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.35580

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CY7C194-35SC
CY7C194-35SC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥4.12845

1306

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.43783

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CY7C195-12VCT
CY7C195-12VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥26.58144

22000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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CHD1616LVB-70
CHD1616LVB-70
16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM

¥14.48580

1052

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.35580

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CHD1616LVB-70Z
CHD1616LVB-70Z
16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM

¥14.48580

483

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.35580

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CY7C109V33-20VC
CY7C109V33-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥14.55823

73795

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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5962-88735013A
5962-88735013A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CLCC(13.97x8.89)

¥124.86760

45

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,247.61673

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CY7C195-12VC
CY7C195-12VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-SOJ

¥26.58144

3699

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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CY7C109V33-15VC
CY7C109V33-15VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥1.26744

28727

2-3 工作日

- +

合计: ¥190.11630

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CY7C1041CV33-15ZXCT
CY7C1041CV33-15ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥26.58144

2661

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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S34MS08G201BHV000
S34MS08G201BHV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥13.03722

578

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,812.17358

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S29GL064N90FFA023
S29GL064N90FFA023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥42.51582

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.51582

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CY7C1347F-200BGC
CY7C1347F-200BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥26.58144

186

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.67833

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CY62128DV30LL-55SXIT
CY62128DV30LL-55SXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOIC

¥14.55823

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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S34ML02G200TFI000
S34ML02G200TFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥11.87329

18048

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,567.27375

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CY62147DV30LL-70BVI
CY62147DV30LL-70BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥14.55823

3958

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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S25FL032P0XMFI001
S25FL032P0XMFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥13.76151

46099

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,711.01747

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