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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C197-15PC
CY7C197-15PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (64K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-PDIP

¥26.07444

542

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C1021BN-15VXEKJ
CY7C1021BN-15VXEKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥26.07444

285

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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S26KL128SDABHB020
S26KL128SDABHB020
FLASH, 16MX8, 96NS, PBGA24

¥43.67469

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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CY7C1020CV33-15ZSXEKJ
CY7C1020CV33-15ZSXEKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥26.07444

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C1383B-117AC
CY7C1383B-117AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥107.19492

58

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,251.09332

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S34MS01G200BHV000
S34MS01G200BHV000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-BGA (11x9)

¥10.35735

1537

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,812.53573

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S79FL256SDSMFVG01
S79FL256SDSMFVG01
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥52.14888

2871

5-7 工作日

- +

合计: ¥52.14888

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CY62177DV30LL-70BAI
CY62177DV30LL-70BAI
ASYNC RAM

¥86.91480

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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CY7C1021CV33-12VXEKJ
CY7C1021CV33-12VXEKJ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥26.07444

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C1325G-133BGXC
CY7C1325G-133BGXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥26.14687

242

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.33700

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CY7C027V-15AIT
CY7C027V-15AIT
CY7C027 - 3.3V 32K X 16 DUAL-POR

¥225.97848

246

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.78480

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CY7C168A-45PC
CY7C168A-45PC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (4K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 20-DIP

¥26.21930

241

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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CY7C006A-20AXI
CY7C006A-20AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥211.49268

923

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,903.43412

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S34ML01G200GHI000
S34ML01G200GHI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 67-BGA (8x6.5)

¥10.64706

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,820.64777

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S71NS512RD0ZHEUL0
S71NS512RD0ZHEUL0
IC FLASH MEMORY 48TSOP

¥52.80074

1036

5-7 工作日

- +

合计: ¥52.80074

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CY7C1021L-15ZC
CY7C1021L-15ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥26.36416

612

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.22495

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CY7C1021BNV33-10ZC
CY7C1021BNV33-10ZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.26851

234

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.08249

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S25FS512SAGBHI210
S25FS512SAGBHI210
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥68.59026

471

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.59026

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S34MS02G100TFI000
S34MS02G100TFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥11.58864

1590

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,819.41648

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CY7C026A-15AC
CY7C026A-15AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥113.27896

48

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,265.57912

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