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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29AL016J55BFNR10
S29AL016J55BFNR10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥19.26611

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5-7 工作日

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合计: ¥19.26611

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S29GL01GS11DHV010
S29GL01GS11DHV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥101.69032

0

5-7 工作日

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合计: ¥101.69032

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FM24V01A-GTR
FM24V01A-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥31.87516

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2-3 工作日

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合计: ¥31.87516

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CY62167ELL-45ZXI
CY62167ELL-45ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥103.34991

0

2-3 工作日

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合计: ¥103.34991

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CY7C0853V-100BBI
CY7C0853V-100BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 172-FBGA (15x15)

¥502.15026

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,510.75129

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CY7S1041GE30-10BVXI
CY7S1041GE30-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥21.87356

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5-7 工作日

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合计: ¥21.87356

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CY62148ESL-55ZAXI
CY62148ESL-55ZAXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥61.78194

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5-7 工作日

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合计: ¥61.78194

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CY10E484-5KCQ
CY10E484-5KCQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (4K x 4) 电源电压: 4.94V ~ 5.46V 供应商设备包装: 28-CFlatPack

¥506.93057

311

5-7 工作日

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合计: ¥2,534.65286

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S25FL512SAGMFI013
S25FL512SAGMFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥81.90013

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥81.90013

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S25FL064LABBHI020
S25FL064LABBHI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥20.14902

885

2-3 工作日

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合计: ¥20.14902

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PALCE20V8-25JCQ
PALCE20V8-25JCQ
ELECTRICALLY ERASABLE PAL DEVIC

¥3.98360

1110

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合计: ¥2,171.05928

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S29GL128N11TFI020
S29GL128N11TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥25.49501

73

5-7 工作日

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合计: ¥25.49501

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CY7C1381C-100BZI
CY7C1381C-100BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥114.51025

26

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.69473

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CY7C1386B-167BGC
CY7C1386B-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥114.72754

100

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.82318

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CY7C1354CV25-166AXC
CY7C1354CV25-166AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥53.66410

144

2-3 工作日

- +

合计: ¥53.66410

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CY7C1370B-200AC
CY7C1370B-200AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥115.66911

24

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,776.05871

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S34ML04G200TFI900
S34ML04G200TFI900
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥12.09564

714

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,814.34645

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CY7C1380C-200AC
CY7C1380C-200AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥115.66911

21

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,429.05137

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CY7C1020D-10VXI
CY7C1020D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥8.47419

35

5-7 工作日

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合计: ¥8.47419

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S34ML01G204TFI010
S34ML01G204TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥12.60265

1286

5-7 工作日

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合计: ¥1,814.78102

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