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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

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描述
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EMX1DXV6T1G
EMX1DXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.43457

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,738.29600

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MCH6544-TL-E
MCH6544-TL-E
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 550mW 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.69388

1976

5-7 工作日

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合计: ¥3.69388

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NSVT45010MW6T3G
NSVT45010MW6T3G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.57943

378000

5-7 工作日

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合计: ¥2,216.90683

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CPH5517-TL-E
CPH5517-TL-E
晶体管类别: NPN、PNP(公共基础) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 900mW 供应商设备包装: 5-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.41817

1835

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.41817

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CPH5518-TL-E
CPH5518-TL-E
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 80V, 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.2瓦 供应商设备包装: 5-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.56303

2491

5-7 工作日

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合计: ¥4.56303

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CPH5504-TL-E
CPH5504-TL-E
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 1.2瓦 供应商设备包装: 5-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.56303

1760

5-7 工作日

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合计: ¥4.56303

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NSS60100DMTTBG
NSS60100DMTTBG
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 2.27瓦 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

11870

5-7 工作日

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合计: ¥4.85274

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NCV1413BDR2G
NCV1413BDR2G
晶体管类别: 7 NPN Darlington 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.56302

152

2-3 工作日

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合计: ¥1.56302

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FFB3904
FFB3904
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥106.63333

9000

5-7 工作日

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合计: ¥106.63333

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NSV40302PDR2G
NSV40302PDR2G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 653mW 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.37375

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.37375

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NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 653mW 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.88076

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NSS40300MDR2G
NSS40300MDR2G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 653mW 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

1502

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.02561

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NSS60200DMTTBG
NSS60200DMTTBG
晶体管类别: 2 PNP(双) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥70.47237

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.47237

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NSV60200DMTWTBG
NSV60200DMTWTBG
晶体管类别: 2 PNP(双) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.24050

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.24050

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NSM3005NZTAG
NSM3005NZTAG
TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN

¥3.33173

2653

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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NST3906DP6T5G
NST3906DP6T5G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.53502

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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NJX1675PDR2G
NJX1675PDR2G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 2W 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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SST45011MW6T1G
SST45011MW6T1G
DUAL MATCHED NPN XSTR 45V

¥1.01401

168000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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CPH6501-TL-E
CPH6501-TL-E
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1.5A 最大功率: 1.2瓦 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.66587

489000

5-7 工作日

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合计: ¥2,185.61750

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CPH6532-TL-E
CPH6532-TL-E
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.1瓦 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.79672

84888

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合计: ¥2,089.79394

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