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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NSVT3906DXV6T1G
NSVT3906DXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.65186

104000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,117.89639

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NSVT3946DXV6T1G
NSVT3946DXV6T1G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.65186

604000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,117.89639

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NSVT3904DP6T5G
NSVT3904DP6T5G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.79672

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,216.47226

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NSVT3946DP6T5G
NSVT3946DP6T5G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.79672

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥398.35950

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NSV60101DMR6T1G
NSV60101DMR6T1G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 530mW 供应商设备包装: SC-74 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01401

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,042.01800

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CPH5541-TL-E
CPH5541-TL-E
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 40V, 30V 最大集电极电流 (Ic): 700毫安 最大功率: 600mW 供应商设备包装: 5-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.24216

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,726.47100

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NSVT45011MW6T3G
NSVT45011MW6T3G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.08644

425252

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,116.37538

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FMBA14
FMBA14
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1.2A 最大功率: 700mW 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.41331

30000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,239.92100

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CPH5520-TL-E
CPH5520-TL-E
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 80V, 50V 最大集电极电流 (Ic): 2A 最大功率: 1.2瓦 供应商设备包装: 5-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.88221

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,646.63600

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NSV60101DMTWTBG
NSV60101DMTWTBG
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 2.27瓦 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.02801

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,084.03600

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NSS20200DMTTBG
NSS20200DMTTBG
晶体管类别: 2 PNP(双) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.09899

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,296.97600

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NSV20200DMTWTBG
NSV20200DMTWTBG
晶体管类别: 2 PNP(双) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.33221

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,996.64200

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NSV40301MDR2G
NSV40301MDR2G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 653mW 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.24530

9837

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.16653

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NSV40300MDR2G
NSV40300MDR2G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 653mW 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.60744

2500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.64552

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NSM3005NZTAG
NSM3005NZTAG
TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN

¥3.33173

2653

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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FMB200
FMB200
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 700mW 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.23129

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,220.02128

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