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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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FMB2907A
FMB2907A
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 600毫安 最大功率: 700mW 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

0

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合计: ¥3.76631

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NST3946DXV6T1
NST3946DXV6T1
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥363.58430

9000

5-7 工作日

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合计: ¥363.58430

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FMB2227A
FMB2227A
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 700mW 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.04202

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EMT1DXV6T5G
EMT1DXV6T5G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

84

5-7 工作日

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合计: ¥3.40416

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FMB3946
FMB3946
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 700mW 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.04202

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NST3946DXV6T5G
NST3946DXV6T5G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

7863

5-7 工作日

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合计: ¥2,321.56674

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SBC857BDW1T1G
SBC857BDW1T1G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.36577

5400

2-3 工作日

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EMX1DXV6T5G
EMX1DXV6T5G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

48000

5-7 工作日

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合计: ¥2,318.01772

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BC848CPDW1T1G
BC848CPDW1T1G
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 250mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

19983

5-7 工作日

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合计: ¥1.95558

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FMBA06
FMBA06
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 80V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 700mW 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.40416

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MCH6545-TL-E
MCH6545-TL-E
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 550mW 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.47659

2542

5-7 工作日

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合计: ¥3.47659

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NSVT65010MW6T1G
NSVT65010MW6T1G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 65V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

2166

5-7 工作日

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合计: ¥3.47659

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NSS60101DMTTBG
NSS60101DMTTBG
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 2.27瓦 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

61

5-7 工作日

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合计: ¥4.85274

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NST857BDP6T5G
NST857BDP6T5G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.62651

0

5-7 工作日

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合计: ¥5,012.08800

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NST30010MXV6T1G
NST30010MXV6T1G
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.78031

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MMPQ2222
MMPQ2222
晶体管类别: 4 NPN (Quad) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 1W 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥141.50912

9000

5-7 工作日

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合计: ¥141.50912

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NSVEMT1DXV6T5G
NSVEMT1DXV6T5G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,239.93925

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NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 2.27瓦 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.63546

3000

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合计: ¥4.63546

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MMPQ6700
MMPQ6700
晶体管类别: 2 NPN,2 PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 1W 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.86195

0

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合计: ¥15.86195

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NST65010MW6T1G
NST65010MW6T1G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 65V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

1000

5-7 工作日

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合计: ¥3.62145

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