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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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操作
PCF6680AS
PCF6680AS
DIE TRANS MOSFET N-CH 30V

¥35.85236

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥896.30888

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NVMTS1D1N04CTXG
NVMTS1D1N04CTXG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48.8A (Ta), 277A (Tc) 最大功耗: 4.7W (Ta), 153W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.25211

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥54,756.32400

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NDFP03N150CG
NDFP03N150CG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),32W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥24.69829

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.69829

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FDB024N04AL7
FDB024N04AL7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.99626

2400

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,997.00960

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FDMT1D3N08B
FDMT1D3N08B
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 164A(Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: 8-Dual Cool88 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.12960

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥75,388.81200

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FQH8N100C
FQH8N100C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 225W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.39937

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥830.76063

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FCH110N65F-F155
FCH110N65F-F155
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.64827

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,541.72060

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FDBL0150N60
FDBL0150N60
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 357W (Tj) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.69368

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51,387.36200

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FDI038AN06A0
FDI038AN06A0
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.71048

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,568.38720

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NTPF082N65S3F
NTPF082N65S3F
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.95095

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥25,950.94900

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FDB016N04AL7
FDB016N04AL7
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.28012

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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NDTL03N150CG
NDTL03N150CG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、140W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P(L) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥26.50901

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.50901

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FCI25N60N-F102
FCI25N60N-F102
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 216W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.60621

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,606.21400

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NTMFS4C01NT3G
NTMFS4C01NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Ta), 303A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、134W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.61766

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥133,088.29000

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FCP25N60N-F102
FCP25N60N-F102
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 216W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.65344

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21,322.74960

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FDB0250N807L
FDB0250N807L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 214W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.73014

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21,384.11200

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NDUL03N150CG
NDUL03N150CG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P(L) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥26.87116

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.87116

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ECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H
COMPLEMENTARY DUAL POWER MOSFET

¥2.24530

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.73590

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FDG327N
FDG327N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.24530

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,167.55548

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J107
J107
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

¥2.33100

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,242.41911

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