品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.28072 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,280.71700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥78.02276 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,110.24380 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta）、21W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 59 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 166A（Tc） 最大功耗: 138W（Tc） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.85646 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104,569.36800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 24W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.93954 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,939.54000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 | ¥34.91078 | 18340 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.91078 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Ta), 300A (Tc) 最大功耗: 3.33W（Ta）、125W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.90735 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53,722.03800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、147A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、125W（Tc） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.07447 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥105,223.40400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.95663 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,765.30640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 227W（Tc） 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.94573 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,356.58640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Ta), 319A (Tc) 最大功耗: 3.84W (Ta), 161W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.30991 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,464.85900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.96743 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,918.56250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥78.87518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87953 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.32512 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,812.79000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | DIE MOSFET P-CH 100V | ¥79.67190 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,991.79750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Ta), 300A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 166W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.34286 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51,714.30500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.14672 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,517.37920 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.82A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.85274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 266W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.61443 | 6750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48,079.47510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta), 287A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 |