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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 116A(Tc) 最大功耗: 484W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥183.78859

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥82,704.86460

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TF412T5G
TF412T5G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

¥0.50700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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HUF75345P3
HUF75345P3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 325W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.34334

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.65511

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3LN01S-TL-E
3LN01S-TL-E
3LN01 - 30 VOLT, 0.15 A, 3.7 OHM

¥0.57943

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.24375

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FCP190N60E
FCP190N60E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,168.95883

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FDMC013P030Z
FDMC013P030Z
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 54A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.42978

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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MMBF5434
MMBF5434
MMBF5434 - N-CHANNEL SWITCH

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,582.71851

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MMBF4118
MMBF4118
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

¥0.75326

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,173.16087

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FDB050AN06A0
FDB050AN06A0
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 245W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.22650

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.94003

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FDPF18N50T-G
FDPF18N50T-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tj) 最大功耗: 38.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.37135

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,819.41648

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FDB86563-F085
FDB86563-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 333W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.66107

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.61990

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EFC4612R-S-TR
EFC4612R-S-TR
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET FOR

¥0.94158

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,230.59591

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FDMS86500DC
FDMS86500DC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、108A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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NVLJD4007NZTBG
NVLJD4007NZTBG
NVLJD4007 - DUAL N-CHANNEL SMALL

¥1.01401

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.22495

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NTHL080N120SC1
NTHL080N120SC1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 348W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.84516

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥915.21284

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NDS356AP-NB8L005A
NDS356AP-NB8L005A
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.15886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.66432

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NVH040N65S3F
NVH040N65S3F
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥65.99281

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥29,696.76630

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FDP053N08B-F102
FDP053N08B-F102
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 146W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.76118

1600

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,808.94720

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FDPF2D3N10C
FDPF2D3N10C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 222A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥31.31888

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31,318.87900

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FQPF9N25CT
FQPF9N25CT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.67206

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,672.06000

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