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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTP75N03L09G
NTP75N03L09G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.69733

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.69733

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NTP85N03RG
NTP85N03RG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 28伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220

¥11.73350

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.73350

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NTP75N03RG
NTP75N03RG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta),74.4W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.02801

4012

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.94483

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FQPF9P25YDTU
FQPF9P25YDTU
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.85246

2400

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,281.96960

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NVMFS005N10MCLT1G
NVMFS005N10MCLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.4A(Ta)、108A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 131W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.88390

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,825.84550

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FDV301N_D87Z
FDV301N_D87Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥63.34640

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥63.34640

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BUZ11_R4941
BUZ11_R4941
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.89140

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.89140

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FQA24N50
FQA24N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 290W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥81.87374

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥81.87374

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FQP9N50
FQP9N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 147W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.27446

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.27446

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FDB7030L
FDB7030L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥31.79633

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.79633

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FDB8030L
FDB8030L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 187W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.55784

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.55784

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NTR1P02T1
NTR1P02T1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.43457

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥755.72419

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NTR1P02LT1
NTR1P02LT1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥1.01401

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,115.40660

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NTR0202PLT1
NTR0202PLT1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,007.73188

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NTHS5443T1
NTHS5443T1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.86915

5994

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NTHS5445T1
NTHS5445T1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

12000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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NTGS3455T1
NTGS3455T1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.13190

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.13190

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NTGS3443T1
NTGS3443T1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥70.70519

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.70519

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NTA4001NT1
NTA4001NT1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 238毫安(Tj) 最大功耗: 300mW (Tj) 供应商设备包装: SC-75,SOT-416 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.28972

85965

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NTGS3441T1
NTGS3441T1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.65A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.36215

137513

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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