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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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操作
NTD14N03RG
NTD14N03RG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 1.04W(Ta),20.8W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.86915

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥492.80692

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BSS138LT1
BSS138LT1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥47.38305

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.38305

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NTD18N06T4G
NTD18N06T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta)、55W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.10044

1500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.55467

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BSS84LT1
BSS84LT1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥39.09717

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.09717

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NTD25P03L1G
NTD25P03L1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.60744

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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MGSF1N02LT1
MGSF1N02LT1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.61905

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.61905

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NTD32N06LT4G
NTD32N06LT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥56.03107

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.03107

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MGSF1N03LT1
MGSF1N03LT1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥192.60320

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥192.60320

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NVH4L027N65S3F
NVH4L027N65S3F
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥121.99767

450

5-7 工作日

- +

合计: ¥54,898.95105

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NTD32N06T4G
NTD32N06T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.18592

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.18592

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MGSF1P02LT1
MGSF1P02LT1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.35927

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.35927

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NTF3055L108T3LFG
NTF3055L108T3LFG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥104.48796

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥104.48796

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MTB50P03HDLT4
MTB50P03HDLT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 供应商设备包装: DPAK

¥12.53022

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.25776

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NTHD4N02FT1G
NTHD4N02FT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A(Tj) 最大功耗: 910毫瓦(Tj) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

238224

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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NTMYS2D9N04CLTWG
NTMYS2D9N04CLTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、110A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.72166

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,164.96800

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MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 1.75W(Ta),40W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.97736

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.97736

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NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.34A(Ta) 最大功耗: 730mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.17287

70044

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,162.00565

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MTD5P06VT4
MTD5P06VT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、40W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.44378

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.44378

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NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.73830

4168

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.56148

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MTD6N15T4
MTD6N15T4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: DPAK

¥35.60610

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.60610

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