品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | 465350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.30372 | 169353 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | ¥20.78712 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.78712 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.34A（Ta） 最大功耗: 730mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37615 | 2466 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.97005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.38776 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.38776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 28伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 930毫瓦（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.90790 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.90790 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 | 26450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta) 最大功耗: 860mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 35000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.69473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.44858 | 59830 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Ta） 最大功耗: 710mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,365.14179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 69W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.56648 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.56648 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥105.02813 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47,262.66030 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.05A (Tj) 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥2.89716 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、27A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、37.8W（Tc） 供应商设备包装: 8-MLP (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥148.63879 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥148.63879 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥136.35484 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥136.35484 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 930毫瓦（Ta） 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 | 5050 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A（Ta） 最大功耗: 790mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥131.11098 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.11098 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 270毫安（Ta） 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3（SOT323） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.05171 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.05171 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.77552 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tj) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET | ¥1.08644 | 866635 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 |