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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTD18N06LT4
NTD18N06LT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta)、55W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.51822

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.51822

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NTD15N06T4
NTD15N06T4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.66884

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.66884

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NTD15N06LT4
NTD15N06LT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.08644

2929

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,239.14254

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NTB75N06LT4
NTB75N06LT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、214W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.83586

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.83586

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NTB75N03RT4
NTB75N03RT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Ta), 75A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta),74.4W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

89600

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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NTMT190N65S3H
NTMT190N65S3H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 129W(Tc) 供应商设备包装: 4-TDFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥34.47620

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.47620

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NTB75N03L09T4
NTB75N03L09T4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥67.75733

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.75733

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MTB30P06VT4
MTB30P06VT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.51861

399

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,600.92539

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MTB23P06VT4
MTB23P06VT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta), 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.69292

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.69292

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MTD20P03HDLT4
MTD20P03HDLT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.97553

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.97553

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MTB75N05HDT4
MTB75N05HDT4
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.17239

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.17239

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MMDFS6N303R2
MMDFS6N303R2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.13008

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.13008

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MTD20P06HDLT4
MTD20P06HDLT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 72W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.67699

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.67699

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MTD2955VT4
MTD2955VT4
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥66.04076

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥66.04076

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NTMS4101PR2
NTMS4101PR2
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 最大功耗: 1.38W(Tj) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.30132

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NTTS2P02R2
NTTS2P02R2
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 最大功耗: 780mW (Ta) 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.08644

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,239.14254

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NTHS4111PT1G
NTHS4111PT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

3615

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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FDS7288N3
FDS7288N3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.92085

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.92085

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NTMS3P03R2
NTMS3P03R2
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.34A(Ta) 最大功耗: 730mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.30372

47009

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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FQP4N90C
FQP4N90C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.15139

3

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,151.38600

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