9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMS4101PR2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMS4101PR2参考价格为0.87美元。onsemi NTMS4101PR2封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC。您可以下载NTMS4101PR2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMS10P02R2G是MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC，包括NTMS10P01系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为125 ns 110 ns，上升时间为100 ns 40 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-10A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为100ns 110ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为30S，沟道模式为增强型。
NTMS3P02R2G，带有ON制造的用户指南。NTMS3P02 R2G以SOP8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
NTMS3P03R2是ON公司制造的MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC。NTMS3P038R2采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH30V 2.34A8-SOIC、P沟道30V 2.34（Ta）730mW（Ta）表面安装8-SOIC。
NTMS3P03R2G是ON公司制造的MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC。NTMS3P03 R2G可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH30V 2.34A8-SOIC、P沟道30V 2.34（Ta）730mW（Ta）表面安装8-SOIC，Trans-MOSFET P-CH30 V 3.86A 8-Pin SOIC N T/R。
