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NTMS10P02R2G是MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC,包括NTMS10P01系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.006596盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SOIC窄8,以及Si技术,该器件也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单四漏三源,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为125 ns 110 ns,上升时间为100 ns 40 ns,Vgs栅源电压为12 V,Id连续漏极电流为-10A,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为100ns 110ns,典型接通延迟时间为25ns,正向跨导最小值为30S,沟道模式为增强型。
NTMS10P02R2是ON公司制造的MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC。NTMS10P01R2可提供8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET P-CH20V 8.8A 8-SOIC、P沟道20V 8.8A(Ta)1.6W(Ta)表面安装8-SOIC、Trans MOSFET P-CH220V 10A 8-引脚SOIC N T/R。
NTMS3P02R2G,带有ON制造的电路图。NTMS3P02 R2G以SOP8封装形式提供,是IC芯片的一部分。