品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223 | ¥26.11790 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.11790 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Tc） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) | ¥4.88172 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.88172 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.44858 | 351580 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.59041 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,072.33120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,529.70048 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、32A（Tc） 最大功耗: 1.36W（Ta），62.5W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 141782 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 48.4W (Tj) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.60505 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.60505 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 1.28W（Ta），56.6W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥43.24011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.24011 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.81073 | 58655 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,339.71921 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta) 最大功耗: 860mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.81073 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.60505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38,025.22500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.08644 | 25023 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.9A（Ta） 最大功耗: 1.98W（Ta）、113.6W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 | 6785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK | ¥25.30669 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.30669 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta), 58A (Tc) 最大功耗: 1.04W（Ta），62.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 57448 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.23129 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Ta) 最大功耗: 2.4W（Ta）、214W（Tj） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.45683 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.45683 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.72189 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.72189 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Ta) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.81073 | 4645 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 |