特色
- 超低RDS（开启）
- 提高效率延长电池寿命
- 逻辑电平门驱动
- 小型SO-8表面安装组件
- 二极管表现出高速、软恢复
- 指定雪崩能量
- 提供的SOIC-8安装信息
应用
- 便携式和电池供电产品中的电源管理
- 蜂窝和无绳电话
- PCMCIA卡
（图片：引出线）
NTMS10P02R2
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 349
- 库存: 0
- 单价: ¥3.83874
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,339.72
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.8A (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@10A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3640 pF @ 16 V
NTMS10P02R2 产品详情
功率MOSFET−10安培，−20伏特P−通道增强−模式单SOIC−8封装
NTMS10P02R2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMS10P02R2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMS10P02R2 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMS10P02R2价格参考￥3.838737，你可以下载 NTMS10P02R2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMS10P02R2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
