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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTD3055-094
NTD3055-094
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.05695

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.05695

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MTD3055VL
MTD3055VL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.96719

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.96719

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HUFA76609D3ST
HUFA76609D3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 49W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.90589

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.90589

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NTD3055-094-1
NTD3055-094-1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥60.66653

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.66653

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NTD3055-094-1G
NTD3055-094-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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NTD3055-094G
NTD3055-094G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥61.60811

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.60811

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NTD3055-150
NTD3055-150
MOSFET N-CHAN 9A 60V DPAK

¥0.72429

4650

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NTD3055-150-1
NTD3055-150-1
MOSFET N-CHAN 9A 60V DPAK STR

¥0.65186

20400

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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NTD3055-150-1G
NTD3055-150-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、28.8W(Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.37615

9321

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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NVTFWS004N04CTAG
NVTFWS004N04CTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、77A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、55W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.39062

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,085.92850

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NTD3055-150G
NTD3055-150G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、28.8W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.66011

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.66011

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NTMFS4935NT1G
NTMFS4935NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、93A(Tc) 最大功耗: 930mW(Ta),48W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.37375

1822043

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.37375

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NTD3055L104
NTD3055L104
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.11502

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.11502

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FDM6296
FDM6296
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.70741

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.70741

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NTD3055L104G
NTD3055L104G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、48W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥135.80438

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FDR858P
FDR858P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.08173

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.08173

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NTD3055L170
NTD3055L170
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),28.5W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥0.72429

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,266.78321

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FDZ201N
FDZ201N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 12-BGA(2x2.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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NTD3055L170-1G
NTD3055L170-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),28.5W(Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥0.72429

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,358.04375

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NTD3055L170G
NTD3055L170G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),28.5W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥147.82759

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥147.82759

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