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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FDPF7N50
FDPF7N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥62.21651

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.21651

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FDMC7678
FDMC7678
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Ta),19.5A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,649.20833

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NTD30N02G
NTD30N02G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.30372

4800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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FQPF10N60CF
FQPF10N60CF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.25355

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.25355

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NTD32N06
NTD32N06
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.80689

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.80689

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FDFC2P100
FDFC2P100
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.46163

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.46163

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NTD32N06-1G
NTD32N06-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.81073

3175

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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FDFS6N548
FDFS6N548
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.14063

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.14063

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NTD32N06G
NTD32N06G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥102.18283

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥102.18283

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FDMB668P
FDMB668P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.35927

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.35927

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NTD32N06L
NTD32N06L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥209.07355

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥209.07355

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FDS8812NZ
FDS8812NZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.59353

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.59353

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NTD32N06L-1G
NTD32N06L-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.81073

2750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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FDS8817NZ
FDS8817NZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥58.79786

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.79786

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NTD32N06LG
NTD32N06LG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta),93.75W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.71901

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.71901

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SI3443DV
SI3443DV
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.15886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.15886

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NTLJS4D9N03HTAG
NTLJS4D9N03HTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 860mW (Ta) 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.44255

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,327.65000

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NTD40N03RG
NTD40N03RG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥55.14744

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.14744

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NTD4302
NTD4302
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Ta), 68A (Tc) 最大功耗: 1.04W(Ta),75W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥93.28855

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥93.28855

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FDD8444L
FDD8444L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 153W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.42306

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.42306

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