特色
- WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导
- 2x2 mm占地面积与SC−88相同
- 2x2 mm包装中最低RDS（开启）
- 1.8 V RDS（开启）额定值，用于低电压逻辑电平栅极驱动
- 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
应用
- DC−DC转换
- LED背光的升压电路
- 针对便携式设备中的电池和负载管理应用进行了优化
- 低侧负荷开关，适用于噪音环境
- 手机
- PDA的
- 媒体播放器
（图片：引出线）
NTLJS4D9N03HTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 860mW (Ta) 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 3.44255 | 10327.65000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.44255
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,327.65
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 供应商设备包装 6-PQFN (2x2)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1020 pF@15 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.5A (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.8 nC @ 4.5 V
- 最大功耗 860mW (Ta)
- 包装/外壳 6-PowerWDFN
- 导通电阻 Rds(ON) 6.1毫欧姆 @ 10A, 4.5V
NTLJS4D9N03HTAG 产品详情
功率MOSFET 30 V，7.8 A，µCool™ 单N通道2x2 mm WDFN封装
NTLJS4D9N03HTAG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTLMS4504NR2 | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S | ¥4.41817 |
 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
 | NTLTS3107PR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8 | ¥4.85274 |
 | NTLTD7900ZR2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8 | ¥1.44858 |
NTLJS4D9N03HTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTLJS4D9N03HTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLJS4D9N03HTAG价格参考￥3.442550，你可以下载 NTLJS4D9N03HTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLJS4D9N03HTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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