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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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2N7000RLRMG
2N7000RLRMG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Tc) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.28972

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2N7000RLRPG
2N7000RLRPG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Tc) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥96.08431

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥96.08431

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2N7002LT3
2N7002LT3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Tc) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥70.63276

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.63276

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BS107ARL1
BS107ARL1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.73158

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.73158

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BS107ARL1G
BS107ARL1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.18592

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.18592

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BS107G
BS107G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥126.25823

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥126.25823

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BS108G
BS108G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥142.69962

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥142.69962

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BS170G
BS170G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥72.58834

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥72.58834

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BS170RLRP
BS170RLRP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.07003

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BS170RLRPG
BS170RLRPG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥159.82183

9000

5-7 工作日

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合计: ¥159.82183

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BSS123LT3
BSS123LT3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.38104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.38104

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BSS123LT3G
BSS123LT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.67412

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.67412

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BSS138LT3
BSS138LT3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.12557

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.12557

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MGSF1N03LT3
MGSF1N03LT3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥104.42813

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥104.42813

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MGSF1N03LT3G
MGSF1N03LT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.82578

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.82578

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MMBF170LT3
MMBF170LT3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥724.29000

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MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

18532

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,160.48464

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MMSF3P02HDR2SG
MMSF3P02HDR2SG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.81073

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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MMSF7P03HDR2
MMSF7P03HDR2
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.96911

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.96911

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MMSF7P03HDR2G
MMSF7P03HDR2G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

23466

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.72514

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